1.大模場單模多層纖芯的瓣狀光纖，其特征為：該光纖中心為摻稀土離子芯區(qū)(1)，由內(nèi)到外分布第一層硅環(huán)芯(2，1)、第一層摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……第N層硅環(huán)芯(2，N)、第N層摻稀土離子環(huán)芯(3，N)，該光纖內(nèi)包層圍繞第N層摻稀土離子環(huán)芯(3，N)均勻分布M個相同半徑和弧度的瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)，內(nèi)包層(5)，外包層(6)，1≤N≤5整數(shù)，3≤M≤32整數(shù)；
摻稀土離子芯區(qū)(1)、摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)、瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的折射率相等；第一層硅環(huán)芯(2，1)……第N層硅環(huán)芯(2，N)的折射率相等；第一層硅環(huán)芯(2，1)……第N層硅環(huán)芯(2，N)的折射率小于摻稀土離子芯區(qū)(1)、摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)、瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的折射率；內(nèi)包層(5)的折射率小于第一層硅環(huán)芯(2，1)……第N硅環(huán)芯(2，N)的折射率，外包層(6)的折射率小于內(nèi)包層(5)的折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大模場單模多層纖芯的瓣狀光纖，其特征為：摻稀土離子芯區(qū)(1)、摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)、瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的摻稀土離子類型包括釹離子、鉺離子、鐿離子、釷離子、鐠離子、鈥離子、釤離子、釹鐿共摻離子或鉺鐿共摻離子；摻稀土離子芯區(qū)(1)、摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)、瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的摻稀土離子類型相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大模場單模多層纖芯的瓣狀光纖，其特征為：摻稀土離子芯區(qū)(1)的纖芯直徑小于等于50μm；摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)的各環(huán)芯厚度小于等于5μm，瓣狀纖芯(4,1)……(4,M)的半徑小于等于25μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大模場單模多層纖芯的瓣狀光纖，其特征為：摻稀土離子芯區(qū)(1)與第一層摻稀土離子環(huán)芯(3,1)的最小距離小于等于5μm，各層摻稀土離子環(huán)芯(3,1)……(3,N)之間的最小距離小于等于5μm，瓣狀纖芯(4,1)、(4,2)……(4,M)均勻分布，瓣狀纖芯由一根光纖預制棒處理成，各塊瓣狀纖芯弧度等于360°除以M。