技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種在交替多次向基板供給TiCl4氣體和NH3氣體進(jìn)行成膜時(shí)，能夠抑制閥裝置(1)的冷卻、并且增大N2氣體流量，有助于提高處理能力的技術(shù)。在交替多次向晶片(W)供給TiCl4氣體和NH3氣體進(jìn)行成膜時(shí)，在一種處理氣體的供給與另一種處理氣體的供給之間，將供給至處理容器(10)內(nèi)的氣氛置換用的N2氣體預(yù)先加熱。因此，能夠抑制處理容器(10)的內(nèi)壁或晶片(W)接觸氣體的部位的冷卻、并且增大N2氣體的流量，因而能夠縮短氣氛的置換所需要的時(shí)間，有助于處理能力的提高，并且能夠抑制因閥裝置(1)的冷卻而造成的反應(yīng)生成物的附著等不良情況的發(fā)生。

技術(shù)研發(fā)人員：大倉(cāng)成幸
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201580039064
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.06
技術(shù)公布日：2017.05.10