技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于制備大面積鈣鈦礦薄膜的脈沖CVD設(shè)備，包括沉積系統(tǒng)和兩路原料吹送系統(tǒng)，沉積系統(tǒng)包括至少一個(gè)沉積室以及真空泵；各個(gè)沉積室的上端分別連接有第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管，第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管上分別設(shè)置有第一脈沖閥和第二脈沖閥，第一進(jìn)氣管與第一路原料吹送系統(tǒng)連接，第二進(jìn)氣管與第二路原料吹送系統(tǒng)連接；各個(gè)沉積室的下端分別連接有排氣管，各個(gè)排氣管分別與真空泵連接，各個(gè)排氣管上設(shè)置有截止閥；各個(gè)沉積室內(nèi)設(shè)置有襯底加熱器，待加工襯底放置在襯底加熱器上。本發(fā)明的大面積鈣鈦礦薄膜的設(shè)備，通過逐層生長的模式，大大提高了鈣鈦礦薄膜大面積均勻性，多腔體的構(gòu)造可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：王書博;丁建寧;袁寧一;賈旭光
受保護(hù)的技術(shù)使用者：常州大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.28
技術(shù)公布日：2017.08.18