1.一種拋光粉，其特征在于，包括：粒徑d50為0.8～1.5μm的氧化鈰a和粒徑d50為0.1～0.6μm的氧化鈰b，其中所述氧化鈰b的質(zhì)量百分比為10％～40％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粉，其特征在于，所述氧化鈰b中還摻雜氟，其中氟含量為氧化鈰b的質(zhì)量的1％～10％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光粉，其特征在于，所述氧化鈰a的粒徑d50為0.9～1.2μm；和/或，所述氧化鈰b的粒徑d50為0.4～0.6μm；和/或，所述氧化鈰b的質(zhì)量百分比為15％～35％。
4.一種拋光液，其特征在于，制備原料包括分散相和如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的拋光粉。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的拋光液，其特征在于，所述拋光粉的質(zhì)量濃度為3％～15％；和/或，所述分散相為水；和/或，所述拋光液的ph為9-12。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的拋光液，其特征在于，所述拋光液的制備原料還包括分散劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光液，其特征在于，所述分散劑選自六偏磷酸鈉、聚乙二醇、檸檬酸鹽、聚羧酸鈉中的至少一種；和/或，所述分散劑的質(zhì)量濃度為0.2％～2％。
8.如權(quán)利要求4-7任一項(xiàng)所述的拋光液的制備方法，其特征在于，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鈰a的制備方法還包括：在所述第一次煅燒后進(jìn)行球磨；和/或，所述第一次煅燒的溫度為800℃-950℃，第一次煅燒的時(shí)間為4-12h；和/或，所述含鈰前驅(qū)體為ce(oh)3或者ce2(co3)3；
10.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的拋光粉或如權(quán)利要求4-7任一項(xiàng)所述的拋光液在石英基板打磨，或在制備光掩模板或集成電路中的應(yīng)用。