殼核結(jié)構(gòu)熒光材料及其光源裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種殼核結(jié)構(gòu)英光材料及其光源裝置，尤其是殼核結(jié)構(gòu)英光材料 包含具有黃光、綠光、或紅光英光粉的核必W及具有含儘氣化物英光粉的殼層，而含儘氣化 物英光粉包含四價儘離子并具有化學(xué)式AyMFe yZy:Μη4%此殼核結(jié)構(gòu)英光材料可接收紫外及 藍(lán)光的激發(fā)光，而放射復(fù)合型光譜W達(dá)成高演色性白光的需求。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，具有"節(jié)能"與"環(huán)保"雙重特性的白光發(fā)光二極管（LED)，隨著其發(fā)光效率 的不斷提升，一般認(rèn)為是取代熱識燈與英光燈的革命性光源。英光材料為制作單芯片白光 L邸不可或缺的光轉(zhuǎn)換材料，攸關(guān)發(fā)光效率、安定性、演色性、色溫、使用壽命等特性，因此是 單芯片白光L邸系統(tǒng)中最重要的關(guān)鍵材料。
[0003] -般來說，白光裝置需要具有高演色性W呈現(xiàn)物體真實(shí)色彩，然而，在現(xiàn)有技術(shù) 中，利用 440 ~460nm 藍(lán)光激發(fā) 550nm L1I3AI5O12: Ce"綠粉或 560nmY3Al5〇i2: Ce"黃粉，所產(chǎn) 生的白光演色性是介于70~75,使得藍(lán)光芯片無法搭配單一英光粉而滿足目前光源的需 求。
[0004] 因此，需要一種具有復(fù)合型光譜的新穎殼核結(jié)構(gòu)英光材料W及使用送種英光材料 的光源裝置，利用核殼結(jié)構(gòu)英光粉具有復(fù)合型光譜的特性，即能W單一英光粉封裝有效提 升白光的演色性，其中殼核結(jié)構(gòu)英光材料包括具有黃光、綠光、或紅光英光粉的核必W及具 有含儘氣化物英光粉的殼層，可吸收370nm至500nm的波長的光激發(fā)而轉(zhuǎn)換成520nm至 800nm之間的發(fā)射光，且利用殼核結(jié)構(gòu)英光材料W制作光源裝置，提供具有高質(zhì)量的光源， 藉W解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種殼核結(jié)構(gòu)英光材料，包括：核必及殼層，且核必具 有黃光、綠光、或紅光英光粉，而殼層具有含儘氣化物英光粉，尤其是含儘氣化物英光粉包 含第一元素、第二元素、氣元素、因素元素 W及四價儘離子，且具有化學(xué)式AyMFeyZy:Mn4%其 中A為第一元素并包含裡、鋼、鐘、頌、錐、鎮(zhèn)、巧、餓、頓W及鋒的至少其中之一，Μ為第二元 素并包含娃、錯、錫、鐵、鉛、鉛、嫁、鋼、鑰、紀(jì)、銅、銀、粗、銀W及亂的至少其中之一，F(xiàn)為氣，Ζ 為因素元素并包含氯、漠 W及賄的至少其中之一，且〇<x蘭2,0蘭y蘭6。
[0006] 殼層的含儘氣化物英光粉可經(jīng)370nm至500nm的波長的光激發(fā)后，放射出波峰介 于520nm至800nm之間的光線，可搭配適當(dāng)?shù)挠⒐獠牧隙鴳?yīng)用于照明或液晶顯示器，藉W提 供具有適當(dāng)光譜的光源，比如白光光源。
[0007] 此外，核必是含Η價飾的金屬氧化物及含二價館的化合物，其中含Η價飾的金屬 氧化物的化學(xué)式為化Gd，Tb，La, Sm，Pr，Lu) 3 (Sc, Α1，Ga) 5〇12: Ce"，主要包含紀(jì)、亂、鋪、銅、 彩、錯、錯、鑰、鉛、嫁。含二價館化合物的化學(xué)式為餓巧娃氮氧化物（(Sr，Ca)Si2〇2N2:Eu")、 A1地a-娃鉛氧氮化合物（Alpha-SiA10N:Eu")、Beta-娃鉛氧氮化合物度eta-SiA10N:Eu")、 頓餓巧娃酸鹽化合物（度a, Sr, Ca)2Si〇4:Eu2+)、巧餓頓娃氮化物（(Ca, Sr, Ba)2Si5Ns:Eu")、 巧餓鉛娃氮化物（(化，Sr) AlSiNs:Eu")，尤其是，核必的粒徑大小為0. 01um-200um。
[0008] 此外，本發(fā)明的殼核結(jié)構(gòu)英光材料可進(jìn)一步包括黃光英光材料、綠光英光材料、 紅光英光材料的至少其中之一，并混合均勻，且黃光英光材料、綠光英光材料、紅光英光材 料能接收該激發(fā)光而分別放射黃光、綠光、紅光。具體而言，黃光英光材料包括含Η價飾 的紀(jì)鉛氧化物燈3Als〇i2:Ce")、含二價館的Α1地a-娃鉛氧氮化合物（Alpha-SiAlON:化"） W及頓餓巧娃酸鹽化合物度曰，Sr, Ca)2Si〇4:Eu")，綠光英光材料包括含Η價飾的錯鉛氧 化物（Lu3Al5〇i2:Ce")、含二價館的Beta-娃鉛氧氮化合物度eta-SiA10N:Eu") W及餓巧 娃氮氧化物（(Sr, Ca)Si2〇2N2:Eu")，而紅光英光材料包括含二價館的頓餓巧娃氮化合物 (度曰，Sr, Ca)2Si5Ns:Eu")、重丐餓鉛娃氮化合物（（Ca, Sr)AlSiN3:Eu")。
[0009] 本發(fā)明的另一目的在于提供一種光源裝置，包括：殼核結(jié)構(gòu)英光材料、激發(fā)光源、 電氣連接線及封裝體，且電氣連接線輸入電源W供應(yīng)激發(fā)光源，進(jìn)而產(chǎn)生發(fā)射光，而殼核結(jié) 構(gòu)英光材料是涂布于封裝體上，用W接收激發(fā)光源的原始發(fā)射光而產(chǎn)生高質(zhì)量的放射光。 尤其是，本發(fā)明的光源裝置可再包含黃光英光材料、綠光英光材料、紅光英光材料的至少其 中之一，其中黃光英光材料、綠光英光材料、紅光英光材料能接收該激發(fā)光而分別放射黃 光、綠光、紅光。此外，黃光英光材料、綠光英光材料、紅光英光材料是與殼核結(jié)構(gòu)英光材料 混合均勻而涂布于封裝體，因此，可調(diào)配出具有特定光譜的光源，可提供照明或顯示領(lǐng)域中 所需的高質(zhì)量光源。
【附圖說明】
[0010] 圖1為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例殼核結(jié)構(gòu)英光材料的示意圖；
[0011] 圖2為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例殼核結(jié)構(gòu)英光材料混合黃光英光材料、綠光英光材料、 紅光英光材料后的示意圖；
[0012] 圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例使用殼核結(jié)構(gòu)英光材料的光源裝置的示意圖； [001引圖4為實(shí)例1的Lu3Al50i2:Ce"/K2SiFe:Mn+4核殼結(jié)構(gòu)英光粉元素分析；
[0014] 圖5為實(shí)例1的Lu3Al5〇i2:Ce"/K2SiFe:Mn+4核殼英光粉的激發(fā)及放射光譜圖；
[001引圖6為不同濃度的K2SiFe:Mn+4前驅(qū)物合成的Lu3Al50i2:Ce"/K2SiFe:Mn+ 4核殼結(jié)構(gòu) 英光粉英光的放射光譜圖；
[0016] 圖7為實(shí)例2的Beta-SiA10N/K2SiFe:Mn+4核殼英光粉的激發(fā)及放射光譜圖；
[0017] 圖8為不同濃度的K2SiFe:Mn+4前驅(qū)物所合成的Beta-SiA10N/K2SiFe:Mn+ 4核殼結(jié) 構(gòu)英光粉英光放射光譜圖；
[001引圖9為實(shí)例3的Y3Al50i2:Ce"/K2SiFe:Mn+4核殼英光粉的激發(fā)及放射光譜圖；
[001引圖10為實(shí)例4的（Ba，Sr, Ca)2Si04:Eu"/K2SiFe:Mn+4核殼英光粉激發(fā)及放射光譜 圖；
[0020] 圖11為實(shí)例5的姑，化)Si2〇2N2:化"/K2SiFe:Mn+4核殼英光粉激發(fā)及放射光譜圖； [0021] 圖12為實(shí)例6的（Ca，Sr, Ba)2SisNs:化"/K2SiFe:Mn+4核殼英光粉激發(fā)及放射光譜 圖；
[00過圖13為實(shí)例7的（Ca，Sr) AlSiNs:化"/K2SiFe:Mn+4核殼英光粉激發(fā)及放射光譜圖； W及
[0023] 圖14為沈Μ圖。
[0024] 其中，附圖標(biāo)記說明如下：
[00巧]1殼核結(jié)構(gòu)英光材料
[002引 2光源裝置
[0027] 10 核必
[002引 20殼層
[002引 22黃光英光材料
[0030] 24綠光英光材料
[0031] 26紅光英光材料
[00礎(chǔ) 30激發(fā)光源
[003引 A局部放大區(qū)
[0034] B封裝體
[0035] CN電氣連接線
[003引 L1激發(fā)光
[0037] L2發(fā)射光
[0038] L3發(fā)射光光源
[0039] PLE激發(fā)光譜
[0040] 化放射光譜
【具體實(shí)施方式】
[0041] W下配合圖標(biāo)及元件符號對本發(fā)明的實(shí)施方式做更詳細(xì)的說明，W