光罩覆膜污染顆粒的清洗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)制造領(lǐng)域，尤其涉及一種光罩覆膜污染顆粒的清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)進(jìn)入新世紀(jì)，人類(lèi)生活已經(jīng)進(jìn)入數(shù)字化時(shí)代的領(lǐng)域中，現(xiàn)今許多生活周遭的物品、用具均以數(shù)字化高科技產(chǎn)品取而代之，不僅給生活帶來(lái)許多方便，同時(shí)也享受著高科技進(jìn)行的成果。在數(shù)字化的時(shí)代中，許多電器用具、物品都以高科技IC芯片進(jìn)行操控，以達(dá)到自動(dòng)化的目的，而IC芯片主要以極精密的半導(dǎo)體集成電路組成，其制造過(guò)程主要利用光罩在無(wú)塵的環(huán)境中，使用高精密度的機(jī)臺(tái)對(duì)晶圓進(jìn)行高精密度的積層作業(yè)來(lái)完成，其廠房、機(jī)臺(tái)的制造成本相對(duì)較為昂貴，因此在制造晶片的過(guò)程中，致力于提高光罩的良率成為本領(lǐng)域技術(shù)人員目前較為重要的課題。
[0003]但是，在半導(dǎo)體生產(chǎn)制造中，因機(jī)臺(tái)因素或人為因素不可避免的會(huì)出現(xiàn)光罩覆膜被超出規(guī)格的微粒污染，只有及時(shí)的對(duì)該些微粒進(jìn)行處理才可以進(jìn)行后續(xù)的產(chǎn)品生產(chǎn)。目前業(yè)界普遍使用風(fēng)吹方式進(jìn)行清除微粒，但是覆膜上的污染顆粒往往很難去除，多數(shù)時(shí)候只能將光罩返廠清洗或修補(bǔ)，因此一定程度上降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
[0004]中國(guó)專(zhuān)利(102078869B)公開(kāi)了一種光罩清洗方法，包括如下步驟:采用短波長(zhǎng)的紫外光照射所述光罩；采用含臭氧的水溶液清洗所述光罩；去離子水清洗所述光罩；然后，在SPM清洗設(shè)備中進(jìn)行下述步驟:去離子水清洗所述光罩；采用SCl溶液清洗所述光罩；去離子水清洗所述光罩；烘干。
[0005]上述專(zhuān)利雖然一定程度上可以清洗光罩表面的污染顆粒，但是清洗成本相對(duì)較高、過(guò)程較為復(fù)雜，而且也未公開(kāi)針對(duì)光罩覆膜上的污染顆粒的清洗方法。
[0006]因此，提供一種簡(jiǎn)單有效的顆粒清洗方法成為本領(lǐng)域技術(shù)人員致力于研宄的方向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]針對(duì)上述存在的問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)一種光罩覆膜污染顆粒的清洗方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中因無(wú)法完全清洗光罩覆膜上的污染顆粒，從而使產(chǎn)品良率降低的缺陷。
[0008]本發(fā)明為解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為:
[0009]一種光罩覆膜污染顆粒的清洗方法，其中，所述方法包括:
[0010]步驟S1、提供IPA液體和若干根無(wú)塵棉簽；
[0011]步驟S2、將所述IPA液體滴在所述無(wú)塵棉簽之上，并保持所述IPA液體在無(wú)塵棉簽上處于不滴落的狀態(tài)；
[0012]步驟S3、利用所述無(wú)塵棉簽上吸附的所述IPA液體對(duì)光罩覆膜上的污染顆粒進(jìn)行清洗；
[0013]步驟S4、利用所述無(wú)塵棉簽將所述IPA液體托引至所述光罩覆膜的邊緣；
[0014]步驟S5、吸附所述IPA液體，以去除所述污染顆粒。
[0015]較佳的，上述的方法，其中，所述光罩覆膜位于一光罩主體的表面。
[0016]較佳的，上述的方法，其中，所述光罩覆膜包括透光膜和位于透光膜邊緣的邊框。
[0017]較佳的，上述的方法，其中，所述邊框表面涂有固體膠，以將所述光罩覆膜粘附于所述光罩主體的表面。
[0018]較佳的，上述的方法，其中，所述IPA液體的濃度為100%。
[0019]較佳的，上述的方法，其中，步驟SI中，各所述無(wú)塵棉簽均需進(jìn)行高壓氮?dú)鈽尨祾咛幚怼?br>[0020]較佳的，上述的方法，其中，步驟S3中，在清洗所述污染顆粒時(shí)，所述無(wú)塵棉簽與所述光罩覆膜不接觸。
[0021]較佳的，上述的方法，其中，步驟S5中，利用干燥的無(wú)塵棉簽吸附所述光罩覆膜上的IPA液體，以去除所述污染顆粒。
[0022]上述發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果:
[0023]本發(fā)明公開(kāi)了一種光罩覆膜污染顆粒的清洗方法，首先提供純凈的IPA液體和若干根無(wú)塵棉簽，然后將IPA液體滴在無(wú)塵棉簽之上，利用無(wú)塵棉簽上的IPA液體對(duì)污染顆粒進(jìn)行清洗，之后利用無(wú)塵棉簽將IPA液體托引至所述光罩覆膜的邊緣，最后用干燥的無(wú)塵棉簽吸附IPA液體，以去除所述污染顆粒；本發(fā)明技術(shù)方案已經(jīng)通過(guò)測(cè)試，適應(yīng)于對(duì)各種光罩覆膜處理，可用于生產(chǎn)線上使用，并可排除生產(chǎn)上斷線的危險(xiǎn)，同時(shí)該技術(shù)方案具有完全去除光罩覆膜污染顆粒的效果，極大提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)良率和效率。
[0024]具體
【附圖說(shuō)明】
[0025]通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。
[0026]圖1是本發(fā)明中光罩主體和光罩覆膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2是本發(fā)明中光罩覆膜的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3是本發(fā)明中光罩覆膜的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4是本發(fā)明中光罩覆膜污染顆粒的清洗方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，但是不作為本發(fā)明的限定。
[0031]為解決現(xiàn)有技術(shù)中因無(wú)法完全清洗光罩覆膜上的污染顆粒，從而使產(chǎn)品良率降低的缺陷，本發(fā)明提供了一種光罩覆膜污染顆粒的清洗方法，如圖4所示，具體的:
[0032]步驟1、提供濃度為100%的純凈IPA(isophthalic acid，間苯二甲酸)液體作為清洗液，以及提供多根被高壓氮?dú)鈽尨祾哌^(guò)的無(wú)塵棉簽作為清洗工具。
[0033]其中，IPA液體作為清洗液，無(wú)塵棉簽作為清洗工具即IPA液體的載體，用于清洗光罩覆膜上的污染顆粒。如圖1所示，傳統(tǒng)的光罩覆膜2位于一個(gè)光罩主體I的上表面，污染顆粒3位于光罩覆膜2的上表面。而光罩覆膜2主要是由透光膜5和位于透光膜邊緣的邊框4組成，其中在邊框4的表面還涂有固體膠(圖中未示出)，以將光罩覆膜2粘附在光罩主體I的上表面，如圖2所示。
[0034]步驟S2、將IPA液體滴在無(wú)塵棉簽之上，需要保持IPA液體從無(wú)塵棉簽上滲出但不會(huì)滴落狀態(tài)，即IPA液體處于懸空狀態(tài)(或稱為飽和但不滴落狀態(tài))，以便于后續(xù)利用懸空的IPA液體對(duì)污染顆粒進(jìn)行清洗。
[0035]步驟S3、利用無(wú)塵棉簽上的一端吸附的IPA液體對(duì)光罩覆膜上的污染顆粒進(jìn)行清洗。
[0036]其中，在整個(gè)清洗過(guò)程中嚴(yán)禁無(wú)塵棉簽觸碰到光罩覆膜2，由于塵棉簽的一端吸附有IPA液體，只使吸附的IPA液體著附在光罩覆膜的表面，并保持無(wú)塵棉簽至光罩覆膜一定的距離，以降低光罩覆膜2受到二次污染的風(fēng)險(xiǎn)，便于完全去除光罩覆膜2上的污染顆粒。
[0037]步驟S4、利用該無(wú)塵棉簽將位于光罩覆膜2上的IPA液體6托引至光罩覆膜2的邊緣。
[0038]其中，在進(jìn)行清洗后，該IPA液體6中含有上述的污染顆粒3，污染顆粒3可隨著IPA液體6的流向而移動(dòng)，將該污染顆粒3引至到光罩薄膜2的邊緣，便于回收IPA液體6并去除污染顆粒3，如圖3所示，箭頭的指向即為IPA液體6的引導(dǎo)方向。
[0039]步驟S5、利用干燥的無(wú)塵棉簽吸附IPA液體，以將含有污染顆粒的IPA液體進(jìn)行回收，此時(shí)污染顆粒完全去除。
[0040]綜上所述，本發(fā)明公開(kāi)了一種光罩覆膜污染顆粒的清洗方法，首先提供純凈的IPA液體和若干根無(wú)塵棉簽，然后將IPA液體滴在無(wú)塵棉簽之上，利用無(wú)塵棉簽上的IPA液體對(duì)污染顆粒進(jìn)行清洗，之后利用無(wú)塵棉簽將IPA液體托引至所述光罩覆膜的邊緣，最后用干燥的無(wú)塵棉簽吸附IPA液體，以去除所述污染顆粒；本發(fā)明技術(shù)方案已經(jīng)通過(guò)測(cè)試，適應(yīng)于對(duì)各種光罩覆膜處理，可用于生產(chǎn)線上使用，并可排除生產(chǎn)上斷線的危險(xiǎn)，同時(shí)該技術(shù)方案具有完全去除光罩覆膜污染顆粒的效果，極大提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)良率和效率且本發(fā)明易于操作，上手難度低，適合大范圍推廣使用。
[0041]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)所述變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。
[0042]以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光罩覆膜污染顆粒的清洗方法，其特征在于，所述方法包括: 步驟S1、提供IPA液體和若干根無(wú)塵棉簽； 步驟S2、將所述IPA液體滴在所述無(wú)塵棉簽之上，并保持所述IPA液體在無(wú)塵棉簽上處于不滴落的狀態(tài)； 步驟S3、利用所述無(wú)塵棉簽上吸附的所述IPA液體對(duì)光罩覆膜上的污染顆粒進(jìn)行清洗； 步驟S4、利用所述無(wú)塵棉簽將所述IPA液體托引至所述光罩覆膜的邊緣； 步驟S5、吸附所述IPA液體，以去除所述污染顆粒。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述光罩覆膜位于一光罩主體的表面。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述光罩覆膜包括透光膜和位于透光膜邊緣的邊框。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述邊框表面涂有固體膠，以將所述光罩覆膜粘附于所述光罩主體的表面。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述IPA液體的濃度為100%。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟SI中，各所述無(wú)塵棉簽均需進(jìn)行高壓氮?dú)鈽尨祾咛幚怼?br>7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S3中，在清洗所述污染顆粒時(shí)，所述無(wú)塵棉簽與所述光罩覆膜不接觸。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S5中，利用干燥的無(wú)塵棉簽吸附所述光罩覆膜上的IPA液體，以去除所述污染顆粒。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)制造領(lǐng)域，尤其涉及一種光罩覆膜污染顆粒的清洗方法；首先提供純凈的IPA液體和若干根無(wú)塵棉簽，然后將IPA液體滴在無(wú)塵棉簽之上，利用無(wú)塵棉簽上的IPA液體對(duì)污染顆粒進(jìn)行清洗，之后利用無(wú)塵棉簽將IPA液體托引至所述光罩覆膜的邊緣，最后用干燥的無(wú)塵棉簽吸附IPA液體，以去除所述污染顆粒；本發(fā)明技術(shù)方案已經(jīng)通過(guò)測(cè)試，適應(yīng)于對(duì)各種光罩覆膜處理，可用于生產(chǎn)線上使用，并可排除生產(chǎn)上斷線的危險(xiǎn)，同時(shí)該技術(shù)方案具有完全去除光罩覆膜污染顆粒的效果，極大提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)良率和效率且本發(fā)明易于操作，上手難度低，適合大范圍推廣使用。
【IPC分類(lèi)】B08B7-00
【公開(kāi)號(hào)】CN104588370
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410697353
【發(fā)明人】賈洪民, 李德建, 陳力均, 朱駿
【申請(qǐng)人】上海華力微電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2014年11月26日