專利名稱：在電子部件的錫表面中保持可焊性及抑制晶須生長的方法
技術領域：
本發(fā)明總地涉及一種用于改善錫層完整性以及從而改善利用具有錫層的金屬部件的電子部件的性能的方法。本發(fā)明進一步涉及一種用于抑制在電子部件的金屬部件上的錫層中形成晶須的方法。諸如引線框的引線、電連接器、以及諸如片形電容器和片形電阻器的中性部件通常都具有附著了錫層的金屬部件。
背景技術：
在電子工業(yè)的大量歷史中，都是依靠錫-鉛焊料在電子部件中進行連接的。在環(huán)境、競爭、以及市場的壓力下，電子工業(yè)轉向使用不含鉛的替代焊料。由于單一金屬系統(tǒng)的簡單性、錫的優(yōu)良物理特性、以及已證明的錫作為電子業(yè)中過去和當前普遍使用的焊料的可靠成分的歷史，所以純錫是一種優(yōu)選的替代焊料。錫須的生長是純錫層的公知但難以理解的問題。錫須可以生長的長度介于幾微米到幾毫米之間，由于它們能夠電連接多個部件從而導致電短路，所以是成問題的。該問題在諸如引線框和連接器的具有緊密結構特征的高強度輸入/輸出部件中尤其突出。
電子部件通過引線機械地和電連接到較大的電子組件中。將集成電路(IC)或其它離散的電子裝置機械地安裝到引線框的翼(paddle)上，然后電連接至數(shù)個引線。特別地，在該位置封裝該裝置以保持機械和電連接的完整性。然后將包括連接到引線框上的裝置的電子部件電連接且機械連接到諸如印刷線路板(PWB)的更大裝置上。部分地由于銅及銅合金的機械強度、導電性以及可成形性，銅和銅合金所以廣泛作為基本的引線框材料。但是銅及其合金沒有顯示出必不可少的耐腐蝕性或可焊性，所以有必要在其上添加涂層以賦予其這些所需的特性。已經(jīng)利用錫-鉛層來賦予銅引線框可焊性。
除了引線框之外，電連接器也是諸如計算機和其它消費電器中所使用的電子部件的重要部分。連接器為電流提供在離散部件間流通的路徑。和引線框一樣，連接器也應該是導電的、耐腐蝕的、耐磨的、且可焊的。而且，由于銅及其合金的導電性，已將其用作連接器的基本材料。已經(jīng)將薄錫層附著到連接器的表面上，以增強耐腐蝕性和可焊性。錫層中的錫須會引起電觸點之間短路的問題。
實際上，通常在引線框上附著厚度介于大約8-15微米之間的錫基層，而通常在電連接器上附著大約3微米厚的錫基層。傳統(tǒng)常識認為，這種較厚的涂層更適于阻止錫須生長及整個涂層的完整性。
因此，仍然需要具有耐腐蝕性和可焊性且沒有錫須生長傾向的涂層的電子部件。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的之一在于為電子部件，特別是引線框、電連接器、以及諸如片形電容器和片形電阻器的中性部件提供具有可焊性、耐腐蝕性、且具有減小的錫須形成傾向的錫基層。
因此，簡單來說，本發(fā)明目的在以于提供一種用于將可焊的、耐腐蝕的、具有錫須形成抗性的錫基層附著在電子部件的金屬表面上的方法。第一金屬層沉積到金屬表面上，其中，該第一金屬層包含金屬或合金，該金屬或合金與錫基層形成擴散偶，該擴散偶提高了錫基層中大量材料缺失，從而提高錫基層中的內(nèi)部張應力。薄錫基層沉積在第一金屬層上。
本發(fā)明其它目的和特性將在下文中指出而變得顯而易見的。


圖1是根據(jù)本發(fā)明為封裝的電子部件形成的引線的橫截面示意圖；圖2是雙列直插封裝(DIP)電子部件；圖3是引線框；圖4是電連接器；
圖5是在錫基層內(nèi)形成張應力的過程的示意圖；圖6是在銅基質上的錫基層中形成晶須的過程的示意圖；圖7a和7b分別是根據(jù)例2的測試后的10微米的錫基層表面的1000X和500X顯微照片。
圖8a和8b分別是根據(jù)例2的測試后的3微米的錫基層表面的1000X和500X顯微照片。
圖9a和9b分別是根據(jù)例2的測試后的2微米的錫基層表面的1000X和500X顯微照片。
圖10a和10b分別是根據(jù)例2的測試后的1微米的錫基層表面的1000X和500X顯微照片。
圖11a和11b分別是根據(jù)例2的測試后的0.5微米錫基層表面的1000X和500X顯微照片。
圖12是根據(jù)例2制備的五個樣本的晶須指數(shù)圖。
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明，在電子部件的金屬表面上形成具有減少的晶須形成傾向的錫基層?？梢酝ㄟ^結合幾個電子部件形成電子裝置。一方面，本發(fā)明包括如圖1所示的引線13。引線13是使用引線的任何標準電子封裝(例如圖2中示出的雙列直插封裝)的一部分，該封裝部分地由圖3中示出的引線框30制造。在圖3中，電子裝置33位于焊盤31上且通過打線接合32連接到引線13。另一方面，本發(fā)明包括如圖4中所示的電連接器。再參考圖1，示出了具有引線13的電子封裝的一部分的橫截面圖，其中，引線13包括導電基底金屬(base metal)10、基底金屬表面上的第一金屬層11、及錫或錫合金層12?；捉饘倏梢允倾~、銅合金、鐵、鐵合金、或任何其它適合用在電子部件中的金屬。錫或錫合金層用來為金屬部件提供耐腐蝕性和可焊性。所利用的錫合金的實例包括錫-鉍、錫-銅、錫-鋅、錫-銀合金。
第一金屬層11是金屬或合金，其與錫基層12一起形成擴散偶，其中，來自錫基層12的錫原子擴散到金屬層11的速率比金屬層的原子擴散到錫基層12的速率快。通過選擇金屬層形成具有該種特性的擴散偶，形成錫的大量材料缺失，從而將錫基層置于內(nèi)部張應力之下。圖5中示出該種類型的擴散偶的實例，其中，錫基層52與包含鎳的第一金屬層53相互作用。雖然沒有按比例，但圖5的較大箭頭表示從錫基層52到第一金屬層53的相對較快的原子擴散速率，而較小的箭頭表示從第一金屬層53到錫基層52的相對較慢的原子擴散速率。此時，形成包含錫和第一金屬層材料的金屬間層54。在利用鎳第一金屬層上的錫基層的擴散偶中，Ni3Sn4是典型的金屬互化物54。在暴露的錫表面上形成錫氧化層51。由于已經(jīng)確定錫層中的內(nèi)部應力(即，壓力或張力)的類型是晶須生長的關鍵因素，所以擴散偶非常重要。具體地，已發(fā)現(xiàn)錫層內(nèi)的張應力抑制晶須生長，而錫層內(nèi)的內(nèi)部壓應力有利于晶須生長。
圖6示出具有壓應力的擴散偶。當將錫直接附著于諸如銅及其合金的基底材料63上時，在錫基層62中形成壓應力，這是因為錫原子擴散進基底材料63的速率比基底材料的原子擴散進錫基層62的速率慢。雖然沒有按比例，但在圖6中通過箭頭的相對大小，示出了錫基層62和基底材料63之間相互擴散從而形成金屬間層64的過程。錫基層62中的壓應力促使錫須65穿透錫氧化層61生長。所以，金屬層材料對無晶須錫層的形成非常關鍵。
當加熱電子部件時，也能夠把壓應力引到錫基層中，這在對電子部件通電或電子部件的周圍溫度正常變動時都可能發(fā)生。當使具有金屬(如銅)襯底上的錫基層的電子部件經(jīng)歷溫度變化時，由于基底材料的熱膨張系數(shù)(CTE)與錫基層的CTE不匹配，所以在錫基層內(nèi)產(chǎn)生熱應力。對于錫在鎳上或錫在銅上，由于錫的線性CET(23μin/in-℃)高于鎳基第一金屬層(純鎳為13.3μin/in-℃)或銅基導電材料(純銅為16.5μin/in-℃)的線性CET，所以在加熱循環(huán)期間，錫基層中的凈熱應力是壓縮的。該些值示出，錫比下層材料更容易響應于溫度變化而膨張和收縮。由于CTE不匹配產(chǎn)生的內(nèi)部壓應力促使晶須形成。本發(fā)明涉及控制由CTE不匹配產(chǎn)生的壓應力的大小、形成足以抵消壓應力的反向張應力、從而減小晶須形成傾向的方法。
參考圖1，錫基層12的厚度是有限的，使得涂層中形成的所有壓應力被擴散偶產(chǎn)生的張應力抵消。不論錫基層的厚度如何，在錫層中的所有位置處，壓縮由加熱產(chǎn)生的熱應力。通過在第一金屬層11和錫鍍層12之間形成促使大量材料缺失從而增強內(nèi)部張應力的擴散偶，將反向張應力賦予涂層的局部上。由于張應力位于擴散偶附近，所以較厚的鍍層具有一些錫基層位置，其中在該些位置處，由于和擴散偶的距離的原因，壓縮熱應力不受張應力的影響。所以，在本發(fā)明的所有實施例中，錫基層都足夠薄，從而可以通過抵消由擴散偶產(chǎn)生的局部張應力，控制該厚度中的所有位置所承受的壓縮熱應力。
在一個優(yōu)選實施例中，圖1中的第一金屬層11包含鎳或鎳合金，這是由于鎳能和錫形成必要的擴散偶。也就是說，鎳與錫形成促使錫基層中大量材料缺失，從而增強錫基層內(nèi)的內(nèi)部張應力的擴散偶。合適的鎳合金的包括例如鎳-鈷和鎳-鐵合金。其它可選的下層材料包括鈷和鈷合金、鐵和鐵合金、以及銀和銀合金。在優(yōu)選實施例中，第一金屬層11的厚度在大約0.1微米到20微米之間。在某些優(yōu)選實施例中，第一金屬層的厚度在大約0.1微米到大約3微米之間。
在另一優(yōu)選實施例中，圖1中的第一金屬層11包含用于形成必需的擴散偶的鎳或鎳合金，第一金屬層還包含按重量算濃度大約為0.1-1％的磷；在某些實施例中，包括根據(jù)重量算濃度為少于大約0.5％的磷，例如根據(jù)重量算濃度為大約0.1-0.4％之間。這可以例如通過在電解槽中放入介于大約5ml/L至大約12ml/L之間的磷基添加劑來實現(xiàn)。已發(fā)現(xiàn)，通過這種方式在合金中放入少量的磷，基本上較少量的磷擴散到隨后沉積的錫上層中，從而提供保護，免于生銹、氧化、及腐蝕，從而增強了可焊性。由從鎳第一層的擴散導致的錫基層中的磷含量為少于大約200ppm。在減少擴散的磷含量的不同實施例中，磷含量少于大約100ppm、少于大約50ppm、以及大約10ppm或更少(即大約3到10ppm)。
引線上的錫基層12的厚度至少為大約0.5微米，但少于4.0微米。在一個實施例中，其厚度少于3.0微米。特別要避免附著在具有或沒有可選的第一金屬層的銅引線上的諸如4微米到8微米或甚至到15微米的較厚的錫基層。在某些優(yōu)選實施例中，將厚度保持在大約2.5微米或以下。在某些其它優(yōu)選實施例中，將厚度保持在大約2.0微米或以下。
如圖4所示，底層是電連接器，該連接器上的錫基層11的厚度至少為大約0.5微米，但少于大約2.5微米。特別要避免類似于附著在現(xiàn)有連接器上的諸如3微米或更厚的錫基層。在某些優(yōu)選實施例中，將厚度保持在大約2.0微米或以下。在某些其它優(yōu)選實施例中，將厚度保持在大約0.5-1.0微米之間。
在完成本發(fā)明的過程中，將第一金屬層附著于例如圖1中的引線10的表面的導電基底金屬表面。最后，可以使用電沉淀將第一金屬層附著到金屬表面上。合適的化學電沉淀的實例為下面實例中公開的Sulfamex系統(tǒng)。接著，將錫基層附著到第一金屬層上面。也可以使用電沉淀將錫基層附著到第一金屬層上。合適的電沉淀化學品實例是可從的Enthone公司(美國康奈提格州西海文)得到的利用錫星(STANNOSTAR)添加劑(例如，潤濕劑300、C1、C2或其它)。也可以使用諸如PVD和CVD的方法，但電沉淀方法通常沒有那些方法貴。
對于引線框，在應用封裝后，通常將下層和錫層附著在暴露的引線上。此處，在引線封裝開始的位置，下層和錫層終止。在該工序中，不常將下層和錫層較早地附著到圖3中所示的引線框上。圖1中示意性地示出了前面的過程，因為下層11和錫層12沒有延伸到引線10的封裝14下面。
本發(fā)明將通過下面的例子來解釋說明。該些例子僅僅用于解釋，而不應被認為是限制本發(fā)明的范圍或實踐本發(fā)明的方式。
例1五個樣本是通過利用從Enthone公司(美國康奈提格州西海文)獲得的Sulfamex MLS電沉淀系統(tǒng)將適合的鎳第一金屬層電鍍到C19400銅合金基材上獲得的。為達到這一目的，在去離子水中準備包括下列成分的電解槽Ni(NH2SO3)2319-383g/LNiCl2*6H2O 5-15g/LH3BO320-40g/LCH3(CH2)11OSO3Na 0.2-0.4g/L將電解槽的pH值保持在大約2.0-2.5之間。將電解液保持在大約55℃-65℃之間。將電流密度保持在大約20A/ft2-300A/ft2之間足夠長時間，使該時間足以附著大致2微米厚的鎳合金第一金屬層。
然后，使用可從Enthone公司得到的STANNOSTAR電鍍系統(tǒng)，將锍錫合金層電鍍在五個樣本中的每個樣本上。為達到這樣目標，在去離子水中準備包括下列成分的電解槽Sn(CH3SO3)240-80g/LCH3SO3H100-200g/L錫星添加劑1-15g/L將電解槽的pH值保持為約為0。將電解液保持在大約50℃。將電流密度保持在大約100A/ft2足夠長時間，以將每個樣本上附著有預期厚度的層。在這里，樣本上附著有10微米、3微米、2微米、1微米、以及0.5微米的锍錫合金。
例2將根據(jù)例1準備的五個樣本置于1000個從大約-55℃到大約85℃的熱沖擊循環(huán)的影響下。圖7-11是熱沖擊試驗后的樣本的顯微照片。圖7a和7b分別示出在具有10微米厚的錫合金層的樣本中的生長的許多大尺寸錫須的1000X和500X顯微照片。圖8a和8b分別示出在具有3微米厚的錫合金層的樣本中的生長的少量顯著尺寸錫須的1000X和500X顯微照片。圖9a和9b分別示出在具有2微米厚的錫合金層的樣本中生長的很少幾個可忽略尺寸的錫須的1000X和500X的顯微照片。圖10a和10b分別示出在具有1微米厚的錫合金層的樣本中幾乎沒有生長的錫須的1000X和500X的顯微照片。類似地，圖11a和11b分別示出在具有0.5微米厚的錫合金層的樣本中沒有錫須生長的1000X和500X的顯微照片。
例3圖12示出比較經(jīng)過例2的熱沖擊試驗后的根據(jù)例1準備的五個樣本的晶須指數(shù)(WI)的圖表。錫合金層的WI定義為樣本的給定區(qū)域中的晶須的數(shù)量、長度、直徑、以及“權重系數(shù)”的函數(shù)值。權重系數(shù)用于區(qū)分短晶須和長晶須。此處，用500X顯微照片來確定五個樣本中的每個樣本的WI7b、8b、9b、10b、和11b。如圖12所示，WI從2微米樣本的接近于0的值顯著增加到3微米樣本的接近于825的值，再增加到大于大約3微米厚的錫基層的更大值。
例4使用下面的電解液，在薄膜電池中，將第一鎳基層電鍍在銅測試面板上鎳g/L氯g/LH3BO4g/L 磷基添加劑ml/L180 540 0280 540 5380 540 8480 540 12電鍍條件是pH值3.8、溫度為60℃、電流為1安培、以及時間為6分鐘。沉積的鎳基層的厚度在1.2-1.8微米之間。然后利用STANNOSTAR工藝電解沉積大約3微米厚的錫疊層。然后將面板加熱到大約250℃。使用電解液1電鍍的面板表現(xiàn)出褪色，而使用電解液2至4電鍍的面板表現(xiàn)出沒有褪色。添加到電解液2至4中的磷基添加劑防止了與氧化和生銹有關的褪色。
本發(fā)明不局限于上述實施例，而可以進行各種修改。本發(fā)明不限于引線框和連接器，而可以擴展到包括諸如片形電容器和片形電阻器的無源部件的其它部件。描述上述優(yōu)選實施例的目的僅在于使本領域技術人員了解本發(fā)明的原理和實際應用，從而使本領域的技術人員可以以各種形式修改及應用本發(fā)明，以適應具體的使用需求。
就整個說明書(包括前述權利要求)中使用的單詞“包含”、“包括”、或“具有”而言，除非上下文要求，該些單詞的使用表示包括性的，而不是排斥性的，結合說明書的上下文來具體說明該些單詞的含義。
權利要求
1.一種用于將可焊接的、耐腐蝕的、具有錫須形成抗性的錫基層附著在電子部件的金屬表面上的方法，所述方法包括將第一金屬層沉積在所述金屬表面上，其中所述第一金屬層包含金屬或合金，其與所述錫基層形成促使所述錫基層中大量材料缺失，從而增強所述錫基層中的內(nèi)部張應力的擴散偶；以及在所述第一金屬層上沉積厚度介于0.5-2.5微米之間的所述錫基層。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬層是鎳基材料。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述電子部件的所述金屬表面是從包括下列成分的組中選出的金屬銅、銅合金、鐵、及鐵合金。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬層是鎳基材料，且厚度介于0.1-20微米之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬層是鎳基材料，且厚度介于0.1-3微米之間。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述電子部件是用于結合進電子裝置的電子封裝的引線。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述電子部件是用于結合進電子裝置的電子封裝的引線，所述方法包括將所述第一金屬層沉積在所述引線的金屬表面上，其中，所述第一金屬層具有介于0.1-20微米之間的厚度且是鎳基材料，其與所述錫基層形成促使所述錫基層中大量材料缺失，從而增強所述錫基層中的所述內(nèi)部張應力的所述擴散偶；以及在所述第一金屬層上沉積厚度介于0.5-2.5微米之間的所述錫基層。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述電子部件是用于結合進電子裝置的電子封裝的引線，所述方法包括將所述第一金屬層沉積在所述引線的所述金屬表面上，其中，所述第一金屬層具有介于0.1-20微米之間的厚度且是鎳基材料，其與所述錫基層形成促使所述錫基層中大量材料缺失，從而增強所述錫基層中的所述內(nèi)部張應力的所述擴散偶；以及在所述第一金屬層上沉積厚度介于0.5-2.0微米之間的所述錫基層。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述電子部件是電連接器，所述方法包括將所述第一金屬層沉積在所述電連接器的所述金屬表面，其中，所述第一金屬層是鎳基材料，其與所述錫基層形成促使所述錫基層中大量材料缺失，從而增強所述錫基層中的所述內(nèi)部張應力的所述擴散偶；以及在所述第一金屬層上沉積厚度介于0.5-2.5微米之間的所述錫基層。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述電子部件是電連接器，所述方法包括將所述第一金屬層沉積在所述電連接器的所述金屬表面上，其中，所述第一金屬層是鎳基材料，其與所述錫基層形成促使所述錫基層中大量材料缺失，從而增強所述錫基層中的所述內(nèi)部張應力的所述擴散偶；以及在所述第一金屬層上沉積厚度介于0.5-2.0微米之間的所述錫基層。
11.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述電子部件是中性電子裝置。
12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述電子部件是片形電容器或片形電阻器。
13.根據(jù)權利要求2、3、4、7、8、9或10所述的方法，其中，所述第一金屬層鎳基材料還包括根據(jù)重量計小于0.5％的磷。
14.根據(jù)權利要求2、3、4、7、8、9或10所述的方法，其中，所述第一金屬層鎳基材料還包括根據(jù)重量計0.1-0.4％的磷。
15.根據(jù)權利要求2、3、4、7、8、9或10所述的方法，其中，所述第一金屬層鎳基材料在包含鎳離子和5-12ml/L的磷基添加劑的電解液中電沉積形成。
16.一種用于將可焊接的、耐腐蝕的、具有錫須形成抗性的錫基層附著在金屬引線上的方法，所述金屬引線通過焊接連接在電子裝置的裝配中，所述方法包括將第一金屬層沉積在所述金屬引線上，其中，所述第一金屬層包含金屬或合金，其與所述錫基層形成促使所述錫基層中大量材料缺失，從而增強所述錫基層中的內(nèi)部張應力的擴散偶；以及在所述第一金屬層上沉積厚度介于0.5-4.0微米之間的所述錫基層。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中，沉積的所述錫基層的厚度介于0.5-3.0微米之間，且其中所述第一金屬層是鎳基材料。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，沉積有所述第一金屬層和所述錫基層的所述金屬引線組成將被結合進所述電子封裝引線框的一部分。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中，沉積所述的第一金屬層包括沉積厚度介于0.1-20微米之間的所述鎳基材料。
20.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中，沉積的所述第一金屬層包括沉積厚度介于0.1-3微米之間的所述鎳基材料。
21.根據(jù)權利要求19或20所述的方法，其中，所述第一金屬層鎳基材料還包括根據(jù)重量計少于0.5％的磷。
22.根據(jù)權利要求19或20所述的方法，其中，所述第一金屬層鎳基材料還包括根據(jù)重量數(shù)量計0.1-0.4％的磷。
23.根據(jù)權利要求19或20所述的方法，其中，所述第一金屬層鎳基材料通過在包含鎳離子和介于5-12ml/L之間的磷基添加劑的電解液中電沉積形成。
24.一種用于將可焊接的、耐腐蝕的、具有錫須形成抗性的錫基層附著到金屬引線上的方法，所述金屬引線通過焊接連接在電子裝置的裝配中，所述方法包括將第一金屬層鎳基材料沉積在所述金屬引線上，其中所述第一金屬層鎳基材料的厚度介于0.1-3微米之間，所述第一金屬層包括鎳和根據(jù)重量計0.1-0.4％的磷，所述第一金屬層與所述錫基層形成促使所述錫基層中大量材料缺失，從而增強所述錫基層中的內(nèi)部張應力的擴散偶；以及在所述第一金屬層上沉積厚度介于0.5-3.0微米之間的所述錫基層。
25.一種用于通過電子裝置的焊接連接在電子封裝的裝配中的金屬引線，其中，所述引線包含金屬線，所述金屬線具有覆在其上的鎳基金屬層和所述鎳基金屬層上的錫基層，其中，所述鎳基金屬層的厚度介于0.1-20微米之間，所述錫基層的厚度介于0.5-3.0微米之間，其中，所述鎳基金屬層與所述錫基層形成擴散偶，所述擴散偶促使所述錫基層中大量材料缺失，從而增強所述錫基層中的內(nèi)部張應力，所述內(nèi)部張應力抑制所述錫基層中的晶須形成。
26.根據(jù)權利要求25所述的金屬引線，其中所述鎳基金屬層包含鎳，且包含根據(jù)重量計少于0.5％的磷。
27.根據(jù)權利要求25所述的金屬引線，其中，所述鎳基金屬層包含鎳，還包含根據(jù)重量計0.1-0.4％之間的磷。
全文摘要
一種用于減少電子部件的金屬部件上的錫層中的晶須形成和保持錫層的可焊性的方法。錫層具有內(nèi)部張應力，且厚度介于大約0.5－4.0微米之間。錫層的下面存在鎳基層。
文檔編號C25D5/12GK1934918SQ200580008852
公開日2007年3月21日 申請日期2005年1月21日 優(yōu)先權日2004年1月21日
發(fā)明者徐晨, 張云, 范崇倫, 奧斯卡·卡薩列夫, 約瑟夫·A·阿拜斯, 埃瑞克·沃茨, 瑪麗斯·克雷尼菲爾德, 漢斯·烏瑞奇·?？颂?申請人:恩索恩公司