1.一種基于穩(wěn)頻電路的電網(wǎng)過(guò)零檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：主要由檢測(cè)芯片U，電源電路，分別與電源電路相連接的穩(wěn)頻電路和采樣電路，負(fù)極與檢測(cè)芯片U的B管腳相連接、正極與采樣電路相連接的電容C3，正極與檢測(cè)芯片U的CEXT管腳相連接、負(fù)極與檢測(cè)芯片U的REXT管腳相連接的電容C4，一端與檢測(cè)芯片U的VCC管腳相連接、另一端與電源電路相連接的電阻R4，以及分別與檢測(cè)芯片U的Q管腳和GND管腳相連接的檢測(cè)輸出電路組成；所述檢測(cè)輸出電路還與電源電路相連接；所述穩(wěn)頻電路和采樣電路相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于穩(wěn)頻電路的電網(wǎng)過(guò)零檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述穩(wěn)頻電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS，三極管VT3，三極管VT4，負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極作為該穩(wěn)頻電路的輸入端的電容C7，串接在三極管VT3的基極和場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極之間的電阻R6，一端與三極管VT3的集電極相連接、另一端接地的電阻R7，N極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、P極接地的二極管D5，串接在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極和二極管D5的P極之間的電阻R8，串接在三極管VT4的發(fā)射極和二極管D5的P極之間的電阻R9，P極與三極管VT4的集電極相連接、N極與三極管VT3的集電極相連接的二極管D6，以及正極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、負(fù)極作為該穩(wěn)頻電路的輸出端的電容C8組成；所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極與三極管VT3的發(fā)射極相連接；所述三極管VT4的基極與三極管VT3的發(fā)射極相連接；所述穩(wěn)頻電路的輸入端與電源電路相連接、其輸出端則與采樣電路相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于穩(wěn)頻電路的電網(wǎng)過(guò)零檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述電源電路由變壓器T，正極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接、負(fù)極與變壓器T的副邊電感線圈的同名端相連接的電容C1組成；所述電容C1的正極與穩(wěn)頻電路的輸入端相連接、其負(fù)極則與采樣電路相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于穩(wěn)頻電路的電網(wǎng)過(guò)零檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述采樣電路由放大器P，N極與放大器P的負(fù)極相連接、P極經(jīng)電阻R2后與放大器P的負(fù)極相連接的二極管D3，P極與放大器P的負(fù)極相連接、N極與二極管D3的P極相連接的二極管D2，N極與放大器P的正極相連接、P極經(jīng)電阻R3后分別與電容C1的負(fù)極和檢測(cè)芯片U的GND管腳相連接的二極管D1，正極與放大器P的負(fù)極相連接、負(fù)極與二極管D3的P極相連接的電容C2，以及一端與放大器P的負(fù)極相連接、另一端與穩(wěn)頻電路的輸出端相連接的電阻R1組成；所述放大器P的輸出端與電容C3的正極相連接；所述電容C1的正極還經(jīng)電阻R4后與檢測(cè)芯片U的VCC管腳相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于穩(wěn)頻電路的電網(wǎng)過(guò)零檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述檢測(cè)輸出電路由三極管VT1，三極管VT2，正極與檢測(cè)芯片U的Q管腳相連接、負(fù)極與三極管VT1的基極相連接的電容C5，一端與三極管VT1的發(fā)射極相連接、另一端與檢測(cè)芯片U的GND管腳相連接的電阻R5，正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、負(fù)極與檢測(cè)芯片U的GND管腳相連接的同時(shí)接地的電容C6，以及N極與電容C1的正極相連接、P極與三極管VT2的基極相連接的二極管D4組成；所述三極管VT2的基極與三極管VT1的集電極相連接、其集電極與二極管D4的N極相連接、其發(fā)射極作為輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于穩(wěn)頻電路的電網(wǎng)過(guò)零檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述檢測(cè)芯片U為SN74121N集成芯片。