技術特征：

1.AFM探針橫向力標定系數(shù)測量方法，是在標準實驗室環(huán)境條件下，利用AFM，測量試樣同一區(qū)域承受不同法向載荷F_n下的摩擦力電信號U_f及表面黏附力F_ad；代入式(1)中，采用最優(yōu)參數(shù)估計法求解出橫向力標定系數(shù)β；

U_fβ＝k(F_n+F_ad)..........(1)

式(1)中K為探針與樣品之間的摩擦系數(shù)。

2.根據(jù)權利要求1所述的AFM探針橫向力標定系數(shù)測量方法，其特征在于：標準實驗室環(huán)境條件是指溫度為21℃，濕度為50％的超凈環(huán)境。

3.根據(jù)權利要求1所述的AFM探針橫向力標定系數(shù)測量方法，其特征在于：法向載荷F_n采用熱常數(shù)法標定。

4.根據(jù)權利要求1所述的AFM探針橫向力標定系數(shù)測量方法，其特征在于：對AFM探針施加至少5種不同的法向載荷F_n，針對每一種法向載荷F_n，利用AFM的摩擦力模塊，掃描試樣表面選定區(qū)域，得到該區(qū)域在相應法向載荷F_n作用下的表面摩擦力圖，對所得到的表面摩擦力圖采用高斯統(tǒng)計，得到相應法向載荷F_n作用下的摩擦力電信號U_f。

5.根據(jù)權利要求4所述的AFM探針橫向力標定系數(shù)測量方法，其特征在于：對AFM探針施加5-20種不同的法向載荷F_n；前后兩級法向載荷F_n之差相等。

6.根據(jù)權利要求1所述的AFM探針橫向力標定系數(shù)測量方法，其特征在于：利用AFM力圖模塊，測量試樣同一區(qū)域的黏附力，經(jīng)過高斯統(tǒng)計得到試樣表面黏附力F_ad。

7.根據(jù)權利要求6所述的AFM探針橫向力標定系數(shù)測量方法，其特征在于：黏附力測量時，利用AFM力圖模塊，測量試樣同一區(qū)域的至少1024個點。

8.根據(jù)權利要求1所述的AFM探針橫向力標定系數(shù)測量方法，其特征在于：試樣選自單晶硅片、云母片、MoS₂納米片中的任意一種。

9.根據(jù)權利要求1‐8任意一項所述的AFM探針橫向力標定系數(shù)測量方法，其特征在于：最優(yōu)參數(shù)估計法為麥夸特優(yōu)化算法。

10.AFM探針橫向力標定方法，是在標準實驗室環(huán)境條件下，利用AFM，測量試樣同一區(qū)域承受不同法向載荷F_n下的摩擦力電信號U_f及表面黏附力F_ad；代入式(1)中，采用最優(yōu)參數(shù)估計法求解出橫向力標定系數(shù)β；將β代入式(2)中，完成AFM探針橫向力標定；

F_f＝U_f×β......(2)

式(2)中，F(xiàn)_f為AFM探針在材料表面掃描產(chǎn)生的橫向力。