1.一種具有自行溫度補償功能的核磁共振磁體，其特征在于，所述的磁體包括主磁場磁塊陣列和補償磁場磁塊陣列，所述的磁場磁塊陣列由上主磁塊(1)、右主磁塊(3)、下主磁塊(5)和左主磁塊(7)構(gòu)成，產(chǎn)生主磁場；所述的補償磁場磁塊陣列由右上補償磁塊(2)、右下補償磁塊(4)、左下補償磁塊(6)和左上補償磁塊(8)構(gòu)成，產(chǎn)生補償磁場；主磁場磁塊陣列和補償磁場磁塊陣列交叉嵌套地構(gòu)成一個環(huán)形結(jié)構(gòu)，主磁場磁塊陣列所產(chǎn)生磁場的磁通密度大于補償磁場磁塊陣列的磁場磁通密度，二者的磁通密度矢量在環(huán)形內(nèi)部區(qū)域方向相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有自行溫度補償功能的核磁共振磁體，其特征在于，所述的主磁場磁塊陣列中，上主磁塊(1)的充磁方向向上、右主磁塊(3)的充磁方向向下、下主磁塊(5)的充磁方向向上，左主磁塊(7)的充磁方向向下；所述的補償磁場磁塊陣列中，右上補償磁塊(2)的充磁方向向左，右下補償磁塊(4)的充磁方向右，左下補償磁塊(6)的充磁方向向左，左上補償磁塊(8)的充磁方向向右，使得補償磁場的方向和主磁場方向相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有自行溫度補償功能的核磁共振磁體，其特征在于，所述的主磁場磁塊陣列由釤鈷磁材制成，補償磁場磁塊陣列由釹鐵硼磁材制成；當環(huán)境溫度升高時，所述的主磁場磁塊陣列和補償磁場磁塊陣列的磁場磁通密度同時減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有自行溫度補償功能的核磁共振磁體，其特征在于，根據(jù)所述的主磁場磁塊陣列和補償磁場磁塊陣列的磁體材料的逆溫度系數(shù)，即磁場變化率，設(shè)計適宜的工作溫度時的磁場磁通密度值，使得主磁場磁塊陣列和補償磁場磁塊陣列的磁場磁通密度值的減小量相等，主磁體和補償磁體的磁通密度矢量和不變，達到了磁體磁場不隨環(huán)境溫度變化的目的。