技術(shù)特征：

1.一種ocl-ldo電路，其特征在于：包括帶隙基準(zhǔn)單元、超級(jí)源隨器、偏置電路、功率晶體管mp、誤差放大器、翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器、頻率補(bǔ)償單元和高通網(wǎng)絡(luò)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于fvf的內(nèi)嵌ssf和高通網(wǎng)絡(luò)集成增強(qiáng)瞬態(tài)響應(yīng)型ocl-ldo電路，其特征在于，還包括電源vin；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于fvf的內(nèi)嵌ssf和高通網(wǎng)絡(luò)集成增強(qiáng)瞬態(tài)響應(yīng)型ocl-ldo電路，其特征在于，所述超級(jí)源隨器包括晶體管m21、晶體管m22、晶體管m23和電阻r2；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于fvf的內(nèi)嵌ssf和高通網(wǎng)絡(luò)集成增強(qiáng)瞬態(tài)響應(yīng)型ocl-ldo電路，其特征在于，所述誤差放大器包括晶體管m1、晶體管m2、晶體管m3、晶體管m4、晶體管m5、晶體管m6、晶體管m12、晶體管m14；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于fvf的內(nèi)嵌ssf和高通網(wǎng)絡(luò)集成增強(qiáng)瞬態(tài)響應(yīng)型ocl-ldo電路，其特征在于，所述翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器包括晶體管m11、晶體管m13、晶體管m15、晶體管m16；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于fvf的內(nèi)嵌ssf和高通網(wǎng)絡(luò)集成增強(qiáng)瞬態(tài)響應(yīng)型ocl-ldo電路，其特征在于，所述偏置電路包括晶體管mb1、晶體管mb2、晶體管mb3；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于fvf的內(nèi)嵌ssf和高通網(wǎng)絡(luò)集成增強(qiáng)瞬態(tài)響應(yīng)型ocl-ldo電路，其特征在于，晶體管mb1、晶體管mb2構(gòu)成電流鏡。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于fvf的內(nèi)嵌ssf和高通網(wǎng)絡(luò)集成增強(qiáng)瞬態(tài)響應(yīng)型ocl-ldo電路，其特征在于，所述頻率補(bǔ)償單元包括電容cm；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于fvf的內(nèi)嵌ssf和高通網(wǎng)絡(luò)集成增強(qiáng)瞬態(tài)響應(yīng)型ocl-ldo電路，其特征在于，所述高通網(wǎng)絡(luò)包括電阻r1和電容c1；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種OCL?LDO電路，包括帶隙基準(zhǔn)單元、超級(jí)源隨器、偏置電路、功率晶體管M<subgt;P</subgt;、誤差放大器、翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器、頻率補(bǔ)償單元和高通網(wǎng)絡(luò)；本發(fā)明引入了一種獨(dú)特的無(wú)輸出電容低壓差(OCL?LDO)穩(wěn)壓器，其核心在于一個(gè)內(nèi)嵌超級(jí)源隨器(SSF)和高通網(wǎng)絡(luò)的具有推挽能力的翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器(FVF)。這一結(jié)構(gòu)巧妙地融合了帶有高通網(wǎng)絡(luò)的超級(jí)源隨器(SSF)，內(nèi)嵌于翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器(FVF)，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)瞬態(tài)響應(yīng)的顯著提升。

技術(shù)研發(fā)人員：陳文鎖,舒航,彭海清,朱坤峰,李劍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9