技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種FLASH存儲器編程電路及其電壓控制方法；該FLASH存儲器為SST型，編程電路包括一級譯碼電路、二級譯碼選通電路、選通開關(guān)電路、SLBIAS電壓控制電路、鉗位電路和下拉電路；當(dāng)FLASH存儲器處于編程狀態(tài)時，若存儲單元沒有溝道漏電，未被選中的SL電壓為浮空狀態(tài)；若存儲單元有溝道漏電，未被選中的SL電壓被鉗位電路鉗位，SL電壓被限制到MOS晶體管閾值電壓附近，通過襯偏作用抑制存儲單元溝道漏電增大，有效防止未被選中的SL上的漏電發(fā)生；同時，該編程電路電壓控制方法實現(xiàn)簡單，能有效降低芯片功耗，并較少芯片面積。

技術(shù)研發(fā)人員：馬繼榮;張云翔;張玉;唐明
受保護的技術(shù)使用者：北京同方微電子有限公司
文檔號碼：201510850658
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.30
技術(shù)公布日：2017.06.09