技術(shù)特征：

1.基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤(pán)單粒子效應(yīng)測(cè)試方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤(pán)單粒子效應(yīng)測(cè)試方法，其特征在于，基于所述數(shù)據(jù)預(yù)置實(shí)驗(yàn)，開(kāi)啟所述輻照測(cè)試，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤(pán)單粒子效應(yīng)測(cè)試方法，其特征在于，判斷ssd中的電子元器件是否在輻照條件下發(fā)生功能中斷與單粒子鎖定，確定判斷結(jié)果包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤(pán)單粒子效應(yīng)測(cè)試方法，其特征在于，基于所述功能測(cè)試結(jié)果，在輻照后測(cè)試階段進(jìn)行靜默數(shù)據(jù)破壞測(cè)試與固定位錯(cuò)誤測(cè)試包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤(pán)單粒子效應(yīng)測(cè)試方法，其特征在于，根據(jù)所述靜默數(shù)據(jù)破壞測(cè)試和固定位錯(cuò)誤測(cè)試，靜默錯(cuò)誤數(shù)量與固定位錯(cuò)誤數(shù)據(jù)包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤(pán)單粒子效應(yīng)測(cè)試方法，其特征在于，基于所述靜默數(shù)據(jù)數(shù)量與固定位錯(cuò)誤數(shù)據(jù)，進(jìn)行錯(cuò)誤特性量化計(jì)算，輸出計(jì)算結(jié)果包括：

7.基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤(pán)單粒子效應(yīng)測(cè)試裝置，其特征在于，包括：通過(guò)以太網(wǎng)連接的控制中心和輻照室；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤(pán)單粒子效應(yīng)測(cè)試裝置，其特征在于，所述控制中心包括：高能粒子準(zhǔn)直器控制器、高能粒子開(kāi)關(guān)和監(jiān)控計(jì)算機(jī)；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤(pán)單粒子效應(yīng)測(cè)試方法和裝置，測(cè)試方法包括：進(jìn)行SSD用戶數(shù)據(jù)預(yù)置實(shí)驗(yàn)；基于所述數(shù)據(jù)預(yù)置實(shí)驗(yàn)，利用裝置進(jìn)行輻照測(cè)試，判斷SSD模組是否在輻照條件下發(fā)生單粒子鎖定、功能中斷以的錯(cuò)誤，確定判斷結(jié)果并進(jìn)行所述錯(cuò)誤的量化計(jì)算，輸出功能測(cè)試結(jié)果；基于所述功能測(cè)試結(jié)果，在輻照后測(cè)試階段進(jìn)行靜默數(shù)據(jù)破壞測(cè)試；根據(jù)所述靜默數(shù)據(jù)破壞測(cè)試，記錄靜默數(shù)據(jù)破壞與固定位錯(cuò)誤數(shù)據(jù)；基于所述靜默數(shù)據(jù)破壞與固定位錯(cuò)誤數(shù)據(jù)，進(jìn)行錯(cuò)誤特性量化計(jì)算，輸出計(jì)算結(jié)果。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)SSD抗輻射性能的參數(shù)化評(píng)估。

技術(shù)研發(fā)人員：馬英起,于天
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院國(guó)家空間科學(xué)中心
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6