技術(shù)特征：

1.一種基于電荷俘獲編程方法的原位存儲nvsram單元，其特征在于，包括：sram存儲單元、第一非易失性晶體管以及第二非易失性晶體管；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電荷俘獲編程方法的原位存儲nvsram單元，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于電荷俘獲編程方法的原位存儲nvsram單元，其特征在于，所述第一非易失性晶體管的柵極通過所述第三nmos晶體管連接至所述第一位線；所述第二非易失性晶體管的柵極通過所述第四nmos晶體管連接至所述第二位線；所述第三nmos晶體管和所述第四nmos晶體管的柵極連接字線。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于電荷俘獲編程方法的原位存儲nvsram單元，其特征在于，數(shù)據(jù)寫入或讀出操作的邏輯為：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于電荷俘獲編程方法的原位存儲nvsram單元，其特征在于，還包括感應(yīng)放大器；所述感應(yīng)放大器分別與所述第一位線和所述第二位線連接；數(shù)據(jù)編程操作的邏輯為：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于電荷俘獲編程方法的原位存儲nvsram單元，其特征在于，數(shù)據(jù)恢復(fù)操作的邏輯為：

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于電荷俘獲編程方法的原位存儲nvsram單元，其特征在于，數(shù)據(jù)復(fù)制操作的邏輯為：

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于電荷俘獲編程方法的原位存儲nvsram單元，其特征在于，所述第一nmos晶體管的柵極連接左使能端口，所述第二nmos晶體管的柵極連接右使能端口；

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及存儲器領(lǐng)域，提供一種基于電荷俘獲編程方法的原位存儲NVSRAM單元，SRAM存儲單元包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管；第一PMOS晶體管的柵極接第一NMOS晶體管的源極；第二PMOS晶體管的柵極接第二NMOS晶體管的源極；第一NMOS晶體管的漏極通過第三NMOS晶體管接第一位線；第二NMOS晶體管的漏極通過第四NMOS晶體管接第二位線；第一PMOS晶體管的漏極接第一非易失性晶體管的源極；第二PMOS晶體管的漏極接第二非易失性晶體管的源極，解決非易失性存儲器與CMOS節(jié)點(diǎn)及操作電壓不兼容的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：杜力,蔣安穎,林燁,杜源
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6