取單元130并耦接該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120 以接收數(shù)據(jù)位NOD及屏蔽位N0C，該數(shù)據(jù)存儲單元110連接該數(shù)據(jù)用寫入字線WffLD以接收 數(shù)據(jù)寫入字信號，且該屏蔽存儲單元120連接該屏蔽用寫入字線WffLC以接收屏蔽寫入字信 號。因此，該內(nèi)容可尋址存儲器100可在該數(shù)據(jù)寫入字信號的控制下，將該寫入位信號經(jīng)由 該對寫入位線WBLP及WBLN而寫入該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120。該比較及 讀取單元130會對該搜尋位信號、該數(shù)據(jù)位N0D、及該屏蔽位NOC進行比較，以決定三者之 間是否匹配而輸出該匹配信號M，倘若結(jié)果為匹配，則該匹配信號M為高邏輯準位的輸出， 否則輸出低邏輯準位的匹配信號M。此外，該內(nèi)容可尋址存儲器100可在該讀取字信號的 控制下，亦經(jīng)由該對混用位線HBLP及HBLN而分別讀取該數(shù)據(jù)存儲單元110儲存的數(shù)據(jù)位 NOD與該屏蔽存儲單元120儲存的屏蔽位N0C。該對混用位線HBLP及HBLN可同時作為讀 取位及搜尋位傳輸之用，因此被稱為雙效或混用（Hybrid)。
[0020] 附圖2為本發(fā)明第二實施例的內(nèi)容可尋址存儲器200之方塊示意圖。該內(nèi)容可尋 址存儲器200包含：一數(shù)據(jù)存儲單元110、一屏蔽存儲單元120、及一比較及讀取單元130。 在如附圖2所示的實施例中，該至少一讀取字線是一條讀取字線RWL，該至少一功能位線系 包含一條數(shù)據(jù)用讀取位線RBLD、一條屏蔽用讀取位線RBLC、及一對搜尋位線SBLP及SBLN， 該數(shù)據(jù)用寫入字線標示為WWLD，該屏蔽用寫入字線標示為WWLC，且該對寫入位線標示為 WBLP及WBLN。如此，該比較及讀取單元130連接該讀取字線RWL以接收讀取字信號，該比 較及讀取單元130連接該搜尋位線SBLP及SBLN以接收搜尋位信號，該比較及讀取單元130 并耦接該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120以接收數(shù)據(jù)位NOD及屏蔽位N0C，該數(shù)據(jù) 存儲單元110連接該數(shù)據(jù)用寫入字線WWLD以接收數(shù)據(jù)寫入字信號，且該屏蔽存儲單元120 連接該屏蔽用寫入字線WffLC以接收屏蔽寫入字信號。
[0021] 因此，該內(nèi)容可尋址存儲器200可在該數(shù)據(jù)寫入字信號的控制下，將該寫入位信 號經(jīng)由該對寫入位線WBLP及WBLN而寫入該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120。該 比較及讀取單元130會對該搜尋位信號、該數(shù)據(jù)位N0D、及該屏蔽位NOC進行比較，以決定三 者之間是否匹配而輸出一匹配信號M，倘若結(jié)果為匹配，則該匹配信號M為高邏輯準位的輸 出，否則輸出低邏輯準位的匹配信號M。此外，該內(nèi)容可尋址存儲器100可在該讀取字信號 的控制下，經(jīng)由該數(shù)據(jù)用讀取位線RBLD與該屏蔽用讀取位線RBLC而分別讀取該數(shù)據(jù)存儲 單元110儲存的數(shù)據(jù)位與該屏蔽存儲單元120儲存的屏蔽位。
[0022] 附圖3為本發(fā)明第三實施例的內(nèi)容可尋址存儲器300之方塊示意圖。該內(nèi)容可尋 址存儲器300包含：一數(shù)據(jù)存儲單元110、一屏蔽存儲單元120、及一比較及讀取單元130。 在如附圖2所示的實施例中，該至少一讀取字線系包含一條數(shù)據(jù)用讀取字線RWLD及一條屏 蔽用讀取字線RWLC，該至少一功能位線系包含一條讀取位線RBL及一對搜尋位線SBLP及 SBLN，該數(shù)據(jù)用寫入字線標示為WWLD，該屏蔽用寫入字線標示為WWLC，且該對寫入位線標 示為WBLP及WBLN。如此，該比較及讀取單元130連接該數(shù)據(jù)用讀取字線RWLD及該屏蔽用 讀取字線RWLC，以分別接收數(shù)據(jù)讀取字信號及屏蔽讀取字信號，該比較及讀取單元130連 接該搜尋位線SBLP及SBLN以接收搜尋位信號，該比較及讀取單元130并耦接該數(shù)據(jù)存儲 單元110及該屏蔽存儲單元120以接收數(shù)據(jù)位NOD及屏蔽位N0C，該數(shù)據(jù)存儲單元110連接 該數(shù)據(jù)用寫入字線WWLD以接收數(shù)據(jù)寫入字信號，且該屏蔽存儲單元120連接該屏蔽用寫 入字線WffLC以接收屏蔽寫入字信號。
[0023] 因此，該內(nèi)容可尋址存儲器300可在該數(shù)據(jù)寫入字信號的控制下，將該寫入位信 號經(jīng)由該對寫入位線WBLP及WBLN而寫入該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120。該 比較及讀取單元130會對該搜尋位信號、該數(shù)據(jù)位N0D、及該屏蔽位NOC進行比較，以決定三 者之間是否匹配而輸出該匹配信號M，倘若結(jié)果為匹配，則該匹配信號M為高邏輯準位的輸 出，否則輸出低邏輯準位的匹配信號M。此外，該內(nèi)容可尋址存儲器100可在該讀取字信號 的控制下，經(jīng)由該讀取位線RBL而讀取該數(shù)據(jù)存儲單元110儲存的數(shù)據(jù)位NOD與該屏蔽存 儲單元120儲存的屏蔽位N0C。
[0024] 在上述的第一、第二及第三實施例中，該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120 共享一對寫入位線WBLP及WBLN。然而，本發(fā)明亦適用于該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲 單元120共享一條寫入字線WffL的實施例，其詳述如下。
[0025] 附圖4為本發(fā)明第四實施例的內(nèi)容可尋址存儲器400之方塊示意圖。該內(nèi)容可尋 址存儲器400包含：一數(shù)據(jù)存儲單元110、一屏蔽存儲單元120、及一比較及讀取單元130， 其可實現(xiàn)三重的內(nèi)容可尋址存儲器（TCAM)，其詳細說明請參閱第一實施例，在此不再贅述。
[0026] 為了使本實施例的內(nèi)容可尋址存儲器得以依據(jù)該搜尋位信號、該數(shù)據(jù)位N0D、及該 屏蔽位NOC而尋址并進行內(nèi)容的讀取或?qū)懭耄搩?nèi)容可尋址存儲器可進一步包含：至少一 讀取字線、至少一功能位線、一寫入字線、一對數(shù)據(jù)用寫入位線、及一對屏蔽用寫入位線。如 此，該比較及讀取單元130可連接該至少一讀取字線以接收至少一讀取字信號、連接該至 少一功能位線以接收一搜尋位信號、并耦接該數(shù)據(jù)存儲單元及該屏蔽存儲單元以接收該數(shù) 據(jù)位及該屏蔽位；該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120可連接該寫入字線以接收一 寫入字信號，藉以控制一數(shù)據(jù)寫入位信號是否可經(jīng)由該對數(shù)據(jù)用寫入位線而被寫入該數(shù)據(jù) 位、及控制一屏蔽寫入位信號是否可經(jīng)由該對屏蔽用寫入位線而被寫入該屏蔽位。
[0027] 在如附圖4所示的實施例中，該至少一讀取字線是一條讀取字線RWL，該至少一 功能位線是一對混用位線HBLP及HBLN，該寫入字線標示為WWL，該對數(shù)據(jù)用寫入位線標示 為WBLDP及WBLDN，且該對屏蔽用寫入位線標示為WBLCP及WBLCN。如此，該比較及讀取單 元130連接該讀取字線RWL以接收讀取字信號，該比較及讀取單元130連接該對混用位線 HBLP及HBLN以接收搜尋位信號，該比較及讀取單元130并耦接該數(shù)據(jù)存儲單元110及該 屏蔽存儲單元120以接收數(shù)據(jù)位NOD及屏蔽位N0C，該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單 元120連接該寫入字線WffL以接收寫入字信號。因此，該內(nèi)容可尋址存儲器100可在該寫 入字信號的控制下，將數(shù)據(jù)寫入位信號經(jīng)由該對數(shù)據(jù)用寫入位線WBLDP及WBLDN而寫入該 數(shù)據(jù)存儲單元110,并將屏蔽寫入位信號經(jīng)由該對屏蔽用寫入位線WBLCP及WBLCN而寫入 該屏蔽存儲單元120。該比較及讀取單元130會對該搜尋位信號、該數(shù)據(jù)位N0D、及該屏蔽 位NOC進行比較，以決定三者之間是否匹