專利名稱：Igbt器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體集成電路領域，特別是涉及一種低應力IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)器件的制作方法。
背景技術：
在半導體各類器件結構中，溝槽式晶閘管由于其特殊的通道特性和電學特征被廣泛運用于各類功率器件。特別是IGBT器件，由于其獨特的高壓高電流的工作環(huán)境，其溝槽式IGBT器件要求較大尺寸的溝槽式柵極。隨著終端客戶對器件性能要求的提升，器件所需要的溝槽愈來愈深，由此帶來的溝槽式柵極的應力愈發(fā)突出。
IGBT器件的制作工藝流程中各步驟的曲率半徑如表I所示，
權利要求
1.一種絕緣柵雙極型晶體管IGBT器件的制作方法，其特征在于在IGBT分離器件的金屬層沉積之前，在已經(jīng)形成的器件結構的硅片背面形成具有正應力的膜。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述具有正應力的膜可以在金屬前介質(zhì)層沉積后形成，也可以在金屬層沉積前的任何工藝步驟中形成。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于在形成所述具有正應力的膜之前，在硅片的正面已完成的器件結構的上端沉積一層保護膜。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于所述保護膜為常壓化學氣相沉積膜，膜厚為1000 A-1OOOOOAc
5.如權利要求3所述的方法，其特征在于在形成所述具有正應力的膜后，采用單面濕法刻蝕或雙面濕法刻蝕將所述保護膜去除。
6.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述具有正應力的膜為亞常壓化學氣相沉積膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種IGBT器件的制作方法，在IGBT分離器件的金屬層沉積之前，在已經(jīng)形成的器件結構的硅片背面形成具有正應力的膜。本發(fā)明能有效抵消厚金屬層的應力，改善硅片的翹曲度，使后續(xù)金屬層的光刻與刻蝕能正常實施。
文檔編號H01L21/331GK103035520SQ20121028684
公開日2013年4月10日 申請日期2012年8月13日 優(yōu)先權日2012年8月13日
發(fā)明者成鑫華, 李琳松, 季偉, 李剛 申請人:上海華虹Nec電子有限公司