1.一種半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，包括以下工序：使晶片襯底與包含含有臭氧的微小氣泡的二氧化碳溶解水接觸，該晶片襯底為在經(jīng)圖案化的晶片襯底上存在至少上部的一部分形成有固化改性層的光致抗蝕劑的晶片襯底，從而除去所述光致抗蝕劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，微小氣泡的粒徑為50μm以下，在利用激光遮斷方式的液體粒子計數(shù)器的測量中，在10～15μm具有粒徑的峰值，其峰值區(qū)域中的個數(shù)為1000個/mL以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，在溶解有二氧化碳的水中產(chǎn)生含有臭氧的微小氣泡來制備包含含有臭氧的微小氣泡的二氧化碳溶解水。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，包含含有臭氧的微小氣泡的二氧化碳溶解水的二氧化碳濃度為0.05～30ppm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，包含含有臭氧的微小氣泡的二氧化碳溶解水的pH為4.5～6.0。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，在加熱下進行除去所述光致抗蝕劑的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，加熱至30～80℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，在除去所述光致抗蝕劑的工序之前和/或與該工序同時地對晶片襯底進行選自將固化改性層的表面進行粗糙化的處理、在固化改性層的表面設(shè)置傷痕和/或龜裂的處理中的至少1種處理，所述晶片襯底為在經(jīng)圖案化的晶片襯底上存在至少上部的一部分形成有固化改性層的光致抗蝕劑的晶片襯底。
9.一種晶片襯底的清洗方法，其特征在于，包括通過使晶片襯底與包含含有臭氧的微小氣泡的二氧化碳溶解水接觸而除去所述光致抗蝕劑的工序，該晶片襯底為在經(jīng)圖案化的晶片襯底上存在至少上部的一部分形成有固化改性層的光致抗蝕劑的晶片襯底。