技術(shù)特征：
1.MOCVD高溫生長高質(zhì)量GaInNAs子電池的方法，其特征在于：在MOCVD高溫生長GaAs疊層電池的GaInNAs子電池時，通過載氣的快速切換,能夠降低高溫生長GaInNAs子電池時氮元素的摻雜難度，從而生長出所需的高質(zhì)量GaInNAs子電池，而載氣的快速切換則由互鎖裝置完成；此外，生長GaInNAs子電池前后需生長隧道結(jié)GaAs/AlGaAs，而生長GaInNAs子電池前后的隧道結(jié)GaAs/AlGaAs使用的載氣為H2，生長GaInNAs子電池使用的載氣為N2，GaInNAs子電池摻雜氮源為二甲基肼；其包括以下步驟：1)生長GaInNAs子電池前，載氣為H2，生長一層隧道結(jié)GaAs/AlGaAs來連接Ge襯底和GaInNAs子電池，H2流量為80-90L/min，生長溫度為540-550℃，生長壓力為30Torr，隧道結(jié)GaAs/AlGaAs的生長厚度為24-26nm，生長時間為90s；2)生長GaInNAs子電池時，載氣快速切換為N2，載氣通過互鎖裝置自動快速切換，N2的流量為2.8-3L/min,生長溫度為590-600℃，生長壓力為39Torr，GaInNAs子電池的生長厚度為0.98-1um，生長時間為30min；3)生長GaInNAs子電池后，載氣快速切換為H2，生長一層隧道結(jié)GaAs/AlGaAs來連接兩個子電池，H2流量為80-90L/min，生長溫度為540-550℃，生長壓力為30Torr，隧道結(jié)GaAs/AlGaAs的生長厚度為24-26nm，生長時間為90s。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD高溫生長高質(zhì)量GaInNAs子電池的方法，其特征在于：H2的純度即體積百分數(shù)大于99.99999％，N2的純度即體積百分數(shù)大于99.999％。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD高溫生長高質(zhì)量GaInNAs子電池的方法，其特征在于：氮氣和氫氣的進氣管路安裝互鎖裝置，互鎖裝置的開啟由生長程序自動控制，當生長GaInNAs子電池時，生長程序輸出信號給PLC，PLC控制互鎖裝置，載氣通過互鎖裝置自動快速切換。