技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
公開了一種用于產(chǎn)生晶體管器件的方法以及晶體管器件。該方法包括：在半導(dǎo)體本體中的第二摻雜類型的本體區(qū)中形成第一摻雜類型的源極區(qū)；以及鄰近本體區(qū)中的源極區(qū)形成第二摻雜類型的低阻區(qū)，其中形成源極區(qū)包括使用注入掩膜經(jīng)由半導(dǎo)體本體的第一表面將第一摻雜類型的摻雜劑粒子注入到本體區(qū)中，以及其中注入第一摻雜類型的摻雜粒子包括傾斜注入。

技術(shù)研發(fā)人員：B.菲舍爾;W.凱因德爾;K.科瓦利克-賽德爾;M.施密特;M.韋格沙伊德
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技奧地利有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.28
技術(shù)公布日：2017.08.11