1.一種雙面同時輻射X射線的平板X射線源器件，包括平行相對的陰極基板和陽極基板，其特征在于：還包括高壓絕緣隔離體，所述高壓絕緣隔離體設(shè)置在陰極基板和陽極基板的邊緣，并與所述陰極基板和陽極基板形成一個高真空區(qū)；所述陰極基板包括陰極襯底和納米線冷陰極電子源陣列，所述納米線冷陰極電子源陣列設(shè)置在所述高真空區(qū)內(nèi)的陰極襯底朝向所述陽極基板的一側(cè)，所述陽極基板包括陽極襯底和陽極靶層，所述陽極靶層設(shè)于所述高真空區(qū)內(nèi)的陽極襯底朝向陰極基板的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述納米線冷陰極電子源陣列的結(jié)構(gòu)為無柵結(jié)構(gòu)、帶柵結(jié)構(gòu)或帶柵聚焦結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述納米線冷陰極電子源陣列的納米線是氧化鋅、氧化銅、氧化鎢、氧化鉬、氧化鐵、氧化鈦或者氧化錫納米線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述陽極基板還包括抗氧化保護層，所述抗氧化保護層覆蓋在陽極靶層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述抗氧化保護層為鋁膜或者抗高溫氧化的合金薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述的陰極襯底和陽極襯底的厚度為0.1mm-50mm；所述的陽極靶層的厚度為0.2μm-1000μm；所述的抗氧化保護層的厚度為20nm-100nm；所述高壓絕緣隔離體的高度為0.5mm-200mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述陰極襯底和陽極襯底是鈹片、硅片、玻璃、石英玻璃、陶瓷基片或者耐高溫的平板塑料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述陽極靶層為鎢、鉬、銠、銀、銅、金、鉻、鋁、鈮、鉭、錸中的一種或任意幾種組合的金屬薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述高壓絕緣隔離體是玻璃、石英、陶瓷或者絕緣塑料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述的平板X射線源器件是處于高真空環(huán)境的非封裝平板X射線源器件或者真空封裝平板X射線源器件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述的真空封裝平板X射線源器件還包括密封層，排氣管和吸氣劑，所述密封層覆蓋在所述高壓絕緣隔離體與陰極基板和陽極基板的接觸縫隙上，所述排氣管穿過陰極基板將所述高真空區(qū)與外界連通，所述的吸氣劑放置在所述排氣管中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的平板X射線源器件，其特征在于：所述密封層的材料是低熔點玻璃粉。