1.一種微型無基板封裝的三基色LED，其特征在于包括三基色LED芯片、一次塑封層、導(dǎo)電球、二次塑封層，所述的一次塑封層位于三基色LED芯片四周及頂部，所述的一次塑封層與三基色LED芯片固連，所述的導(dǎo)電球位于設(shè)置在三基色LED芯片頂部的電極頂部，所述的導(dǎo)電球與電極焊接相連且與一次塑封層固連，所述的二次塑封層位于三基色LED芯片底部，所述的二次塑封層與三基色LED芯片固連。
2.一種微型無基板封裝的三基色LED的封裝方法，其特征在于該方法包括以下步驟：
1)芯片排布：將單個R、G、B三基色LED芯片作為獨(dú)立單元進(jìn)行陣列并平放在設(shè)有粘接固定膜的平面載板上，所述的三基色LED芯片非電極所在面與平面載板貼合，所述的平面載板平面度≤0.005mm，所述的獨(dú)立單元內(nèi)R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；
2)植放導(dǎo)電球：將已經(jīng)排布好的三基色LED芯片的電極上植放導(dǎo)電球，所述的導(dǎo)電球用于導(dǎo)電，所述的導(dǎo)電球厚度為0.005mm-0.08mm；
3)一次塑封：采用模封工藝對已植放導(dǎo)電球的三基色LED芯片頂面及側(cè)面進(jìn)行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料為耐溫不小于200℃的不透光塑封料；
4)二次塑封：先將平面載板與步驟3)制得的一次塑封芯片板分離，再將分離后的一次塑封芯片板的底面采用模封工藝進(jìn)行二次塑封制得二次塑封芯片板，所述的塑封材料透光塑封料；
5)打磨：使用打磨機(jī)對步驟4)制得的二次塑封芯片板頂面進(jìn)行打磨，打磨至露出三基色LED芯片電極上的導(dǎo)電球截面的1/2-2/3；
6)清洗烘干：先使用超聲波清洗機(jī)對打磨后的二次塑封芯片板進(jìn)行清洗，再使用烘箱對清洗后的二次塑封芯片板進(jìn)行烘干，所述的烘干溫度為50℃-80℃,烘烤時間為10min-30min；
7)分離：先將步驟6)處理后的二次塑封芯片板底面貼上一層粘接固定膜，再使用切割機(jī)將二次塑封芯片板上的的各個獨(dú)立單元相互分離，最后將所述的各個獨(dú)立單元從粘接固定膜上玻璃，從而制得無基板三基色LED半成品，所述的切割機(jī)不切斷粘接固定膜；
8)測試包裝：對步驟7)制得的無基板三基色LED半成品進(jìn)行光電參數(shù)測試，測試合格后進(jìn)行包裝制得無基板三基色LED成品。
3.如權(quán)利要求1所述的微型無基板封裝的三基色LED，其特征在于所述的三基色LED芯片為透明襯底的雙電極LED芯片和倒裝LED芯片中的任意一種。