1.一種測試結構，應用于晶圓可接收測試，所述測試結構設置于晶圓中，所述晶圓包括多層金屬層，所述測試結構包括多個金屬焊盤和多個有源器件，每個所述金屬焊盤下方對應設置一個所述有源器件，以形成CUP結構；其特征在于，
所有的所述CUP結構中所述有源器件的柵極通過第一連接線路并聯(lián)接入一第一焊盤，源極通過第二連接線路并聯(lián)接入一第二焊盤，漏極通過第三連接線路并聯(lián)接入一第三焊盤，襯底通過第四連接線路并聯(lián)接入一第四焊盤。
2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述金屬焊盤的個數(shù)大于等于四，以使形成的所述CUP結構的個數(shù)大于等于四。
3.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述有源器件為MOS晶體管。
4.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所有的所述CUP結構的金屬布線設置于所述晶圓的同一金屬層中；或者，所有的所述CUP結構的金屬布線分散設置于所述晶圓的兩層或兩層以上不同的金屬層中。
5.如權利要求4所述的測試結構，其特征在于，所述第一焊盤至所述第四焊盤設置于所述晶圓的頂層金屬層上，所述第一連接線路至所述第四連接線路通過所述CUP結構的金屬布線與所述晶圓的各金屬層連接形成。
6.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述金屬焊盤的材質為鋁；和/或
所述第一焊盤至所述第四焊盤的材質為鋁。
7.一種監(jiān)測探針針痕偏移的方法，其特征在于，基于如權利要求1-6任意一項所述的測試結構，所述方法包括：
提供一探針卡，所述探針卡上設置有多個探針；
將所述探針與所述第一至第四焊盤接觸，以量測并聯(lián)的所述有源器件的飽和電流；
將一監(jiān)測統(tǒng)計單元與所述多個探針連接，當所述監(jiān)測統(tǒng)計單元接收到的所述飽和電流小于閾值時，判斷所述探針發(fā)生偏移。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述閾值為并聯(lián)的所述有源器件的飽和電流閾值。
9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述探針的個數(shù)與所述金屬焊盤的個數(shù)相同。
10.如權利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述監(jiān)測統(tǒng)計單元為統(tǒng)計過程控制系統(tǒng)。