1.一種IGBT器件，其特征在于，包括P+襯底、肖特基二極管和溝槽MOSFET；
其中，所述P+襯底與所述溝槽MOSFET的下底面固定連接；
所述溝槽MOSFET由下到上依次包括耐壓漂移區(qū)、P型體區(qū)外延層和N+源區(qū)外延層，且每相鄰兩層之間均緊密接觸；所述溝槽MOSFET的上端中間位置開設(shè)有柵區(qū)溝槽；所述溝槽MOSFET的上端邊緣位置開設(shè)有肖特基溝槽；所述柵區(qū)溝槽和所述肖特基溝槽的底面均位于所述耐壓漂移區(qū)的內(nèi)部；所述肖特基溝槽的深度大于所述柵區(qū)溝槽的深度；
所述溝槽MOSFET還包括柵電極；所述柵電極固定設(shè)置在所述柵區(qū)溝槽中；所述柵區(qū)溝槽與所述柵電極之間存在柵氧化層；所述柵電極高出所述柵區(qū)溝槽的部分的外圍設(shè)置有柵電極絕緣保護層；
所述肖特基二極管的下端通過所述肖特基溝槽與所述溝槽MOSFET的上端配合；
所述肖特基二極管與所述溝槽MOSFET的源極共用金屬電極。
2.如權(quán)利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，
所述肖特基二極管包括中央溝槽和外凸起部；所述肖特基溝槽與所述外凸起部配合，所述中央溝槽與所述柵電極絕緣保護層配合。
3.如權(quán)利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，
所述P型體區(qū)外延層的厚度在0.1μm-1μm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，
所述耐壓漂移區(qū)的頂面上還設(shè)置有N1濃摻雜外延層；所述N1濃摻雜外延層位于所述耐壓漂移區(qū)與所述P型體區(qū)外延層之間。
5.如權(quán)利要求4所述的IGBT器件，其特征在于，
所述柵區(qū)溝槽的底面位于所述N1濃摻雜外延層中。
6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的IGBT器件，其特征在于，
所述柵氧化層的底面厚度大于所述柵氧化層的側(cè)面厚度。
7.如權(quán)利要求1-5任一項所述的IGBT器件，其特征在于，
所述肖特基溝槽為環(huán)形結(jié)構(gòu)件。
8.如權(quán)利要求1-5任一項所述的IGBT器件，其特征在于，
所述P+襯底的厚度在5μm-500μm之間。
9.如權(quán)利要求1-5任一項所述的IGBT器件，其特征在于，
所述N+源區(qū)外延層的厚度小于1μm。
10.如權(quán)利要求9所述的IGBT器件，其特征在于，
所述N+源區(qū)外延層的厚度為0.5μm。