本發(fā)明涉及差分濾波器技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種疊層基片集成波導結(jié)構(gòu)的雙通帶差分濾波器。

背景技術(shù)：

濾波器是電路系統(tǒng)重要的基本單元電路之一，廣泛應用于微波通信、雷達導航、電子對抗、衛(wèi)星通信、彈道制導、測試儀表等系統(tǒng)中，是微波和毫米波系統(tǒng)中不可缺少的重要器件，它性能的優(yōu)劣往往直接影響整個通信系統(tǒng)的性能指標。在實際工程應用中，從濾波器技術(shù)指標的給定到加工成品所要求的時間將越來越短，快速準確的設(shè)計出高性能的微波濾波器將是工程設(shè)計和市場競爭的必然趨勢，設(shè)計性能高、體積小、成本低和縮短濾波器研制周期，是市場競爭的必然要求。

差分通帶濾波器具有好的信噪比而得到特別的關(guān)注，差模信號選擇性濾波和共模響應的抑制是最重要指標。基片集成波導(SIW)是一種新的微帶線傳輸形式，其利用金屬過孔在介質(zhì)基片上實現(xiàn)波導的場傳播模式，此類波導的一個重要性質(zhì)是具有與傳統(tǒng)矩形波導相近的傳播特性，諸如品質(zhì)因數(shù)高、易于設(shè)計等，同時較傳統(tǒng)波導更為緊湊，具有體積小、重量輕、容易加工和集成等優(yōu)點。

但是目前，基片集成波導技術(shù)尚未被成熟地應用于差分濾波器的設(shè)計，差分濾波器依然存在體積大、難以加工、集成度低，以及共模抑制和帶間隔離度低等問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的在于提供一種具有較高共模抑制、帶間隔離度和可控中心頻率的疊層基片集成波導結(jié)構(gòu)的雙通帶差分濾波器。

實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)解決方案為：一種疊層基片集成波導結(jié)構(gòu)的雙通帶差分濾波器，包括兩個疊層設(shè)置的第一～二介質(zhì)基板，設(shè)置在第一介質(zhì)基板上表面的上表面金屬層和設(shè)置在第二介質(zhì)基板下表面的下表面金屬層，以及第一～二介質(zhì)基板之間的中間金屬層，中間金屬層具有一水平軸線和垂直軸線，水平軸線與信號的傳輸方向相同，其中：

所述第一～二介質(zhì)基板、上表面金屬層、中間金屬層和下表面金屬層上設(shè)置有多個貫穿的金屬化通孔，金屬化通孔分別在上表面金屬層與中間金屬層表面，以及中間金屬層與下表面金屬層表面形成通孔陣列，所述上層通孔陣列、上表面金屬層和中間金屬層圍包形成基片集成波導上層的四個腔體，分別為第一腔體、第二腔體、第三腔體和第四腔體，所述下層通孔陣列、中間金屬層和下表面金屬層圍包形成基片集成波導下層的兩個腔體，分別為第五腔體第六腔體，其中：

第一腔體和第二腔體、第三腔體和第四腔體分別關(guān)于水平軸線對稱，第一腔體和第四腔體、第二腔體和第三腔體分別關(guān)于垂直軸對稱，第五腔體和第六腔體關(guān)于垂直軸對稱，所述第五腔體和第六腔體位于第一腔體、第二腔體、第三腔體和第四腔體的垂直下層；

所述第一腔體、第二腔體、第三腔體和第四腔體均為具有第一面積的四方形腔體結(jié)構(gòu)，且四個腔體構(gòu)成一個大的四方形腔體，第五腔體、第六腔體均為具有第二面積的四方形腔體結(jié)構(gòu)，每個腔體的沿水平軸線方向的側(cè)邊具有相同的長度，且前述第二面積為第一面積的兩倍；

所述第一腔體、第二腔體、第三腔體和第四腔體之間分別兩兩隔離，第五腔體和第六腔體之間相連，并在連接部分形成第一耦合窗口和第二耦合窗口；

在第一、二、三、四腔體對應的上表面金屬層邊緣的位置分別插入有四條饋線，分別為第一饋線、第二饋線、第三饋線及第四饋線。

進一步地，所述第一耦合窗口與第二耦合窗口的長度相等，且關(guān)于水平軸線對稱。

進一步地，所述中間金屬層上蝕刻有第一H型耦合槽線、第二H型耦合槽線、第三H型耦合槽線和第四H型耦合槽線，且分別位于第一腔體、第二腔體、第三腔體和第四腔體內(nèi)；所述下表面金屬層上蝕刻有第五擾動槽線、第六擾動槽線、第七擾動槽線和第八擾動槽線，其中第五擾動槽線和第六擾動槽線位于第五腔體內(nèi)；第七擾動槽線和第八擾動槽線位于第六腔體內(nèi)，并與第五擾動槽線、第六擾動槽線關(guān)于垂直軸線對稱分布；第一H型耦合槽線、第二H型耦合槽線和第三H型耦合槽線、第四H型耦合槽線關(guān)于垂直軸線對稱分布，第一H型耦合槽線、第四H型耦合槽線和第二H型耦合槽線、第三H型耦合槽線關(guān)于水平軸線對稱分布，第一H型耦合槽線、第二H型耦合槽線、第三H型耦合槽線和第四H型耦合槽線結(jié)構(gòu)相同，第五擾動槽線、第六擾動槽線、第七擾動槽線、第八擾動槽線的結(jié)構(gòu)相同。

進一步地，所述中間金屬層上的第一～四H型耦合槽線兩兩相同，所述下表面金屬層上的第五～八擾動槽線的長度相等，第五擾動槽線與第八擾動槽線關(guān)于垂直軸線對稱，第六擾動槽線與第七擾動槽線關(guān)于垂直軸線對稱，第五～八擾動槽線均關(guān)于水平軸線對稱，且互相平行。

進一步地，所述金屬通孔的直徑均為0.8mm，兩相鄰金屬通孔間距離是1.2mm。

進一步地，所述第一～二介質(zhì)基板均采用R05880型號，介電常數(shù)為2.2，厚度為0.508mm。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其顯著優(yōu)點為：(1)將基片集成波導技術(shù)引入差分帶通濾波器的設(shè)計中，并設(shè)計疊層結(jié)構(gòu)利用基片集成波導高次模式來得到第二差模通帶，減小了濾波器平面尺寸，實現(xiàn)了小型化；(2)在介質(zhì)基板的下表面金屬的特定位置刻蝕四個槽線，通過調(diào)整槽線的位置或尺寸，提高了共模抑制和帶間隔離，具有可控中心頻率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明雙層基片集成波導結(jié)構(gòu)的雙通帶差分濾波器的三維結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為實施例1中雙層基片集成波導結(jié)構(gòu)的雙通帶差分濾波器的結(jié)構(gòu)尺寸示意圖，其中(a)為上表面金屬層的結(jié)構(gòu)尺寸示意圖，(b)為下表面金屬層的結(jié)構(gòu)尺寸示意圖。

圖3為添加槽線后的雙通帶差分濾波器仿真測試結(jié)果圖。

具體實施方式

結(jié)合圖1，本發(fā)明疊層基片集成波導結(jié)構(gòu)的雙通帶差分濾波器，包括兩個疊層設(shè)置的第一～二介質(zhì)基板1、2，設(shè)置在第一介質(zhì)基板1上表面的上表面金屬層3和設(shè)置在第二介質(zhì)基板2下表面的下表面金屬層4，以及第一～二介質(zhì)基板1、2之間的中間金屬層5，中間金屬層5具有一水平軸線L1和垂直軸線L2，水平軸線L1與信號的傳輸方向相同，其中：

所述第一～二介質(zhì)基板1、2、上表面金屬層3、中間金屬層5和下表面金屬層4上設(shè)置有多個貫穿的金屬化通孔，金屬化通孔分別在上表面金屬層3與中間金屬層5表面，以及中間金屬層5與下表面金屬層4表面形成通孔陣列，所述上層通孔陣列、上表面金屬層3和中間金屬層5圍包形成基片集成波導上層的四個腔體，分別為第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64，所述下層通孔陣列、中間金屬層5和下表面金屬層4圍包形成基片集成波導下層的兩個腔體，分別為第五腔體65第六腔體66，其中：

第一腔體61和第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64分別關(guān)于水平軸線L1對稱，第一腔體61和第四腔體64、第二腔體62和第三腔體63分別關(guān)于垂直軸L2對稱，第五腔體65和第六腔體66關(guān)于垂直軸L2對稱，所述第五腔體65和第六腔體66位于第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64的垂直下層；

所述第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64均為具有第一面積M1的四方形腔體結(jié)構(gòu)，且四個腔體構(gòu)成一個大的四方形腔體，第五腔體65、第六腔體66均為具有第二面積M2的四方形腔體結(jié)構(gòu)，每個腔體的沿水平軸線方向的側(cè)邊具有相同的長度，且前述第二面積M2為第一面積M1的兩倍；

所述第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64之間分別兩兩隔離，第五腔體65和第六腔體66之間相連，并在連接部分形成第一耦合窗口和第二耦合窗口；

在第一、二、三、四腔體61、62、63、64對應的上表面金屬層3邊緣的位置分別插入有四條饋線，分別為第一饋線31、第二饋線32、第三饋線33及第四饋線34。

優(yōu)點地，所述第一耦合窗口與第二耦合窗口的長度相等，且關(guān)于水平軸線L1對稱。

優(yōu)點地，所述中間金屬層5上蝕刻有第一H型耦合槽線41、第二H型耦合槽線42、第三H型耦合槽線43和第四H型耦合槽線44，且分別位于第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64內(nèi)；所述下表面金屬層4上蝕刻有第五擾動槽線45、第六擾動槽線46、第七擾動槽線47和第八擾動槽線48，其中第五擾動槽線45和第六擾動槽線46位于第五腔體65內(nèi)；第七擾動槽線47和第八擾動槽線48位于第六腔體66內(nèi)，并與第五擾動槽線45、第六擾動槽線46關(guān)于垂直軸線L2對稱分布；第一H型耦合槽線41、第二H型耦合槽線42和第三H型耦合槽線43、第四H型耦合槽線44關(guān)于垂直軸線L2對稱分布，第一H型耦合槽線41、第四H型耦合槽線44和第二H型耦合槽線42、第三H型耦合槽線43關(guān)于水平軸線L1對稱分布，第一H型耦合槽線41、第二H型耦合槽線42、第三H型耦合槽線43和第四H型耦合槽線44結(jié)構(gòu)相同，第五擾動槽線45、第六擾動槽線46、第七擾動槽線47、第八擾動槽線48的結(jié)構(gòu)相同。

優(yōu)點地，所述中間金屬層5上的第一～四H型耦合槽線41、42、43、44兩兩相同，所述下表面金屬層4上的第五～八擾動槽線45、46、47、48的長度相等，第五擾動槽線45與第八擾動槽線48關(guān)于垂直軸線L2對稱，第六擾動槽線46與第七擾動槽線47關(guān)于垂直軸線L2對稱，第五～八擾動槽線45、46、47、48均關(guān)于水平軸線L1對稱，且互相平行。

優(yōu)點地，所述金屬通孔6的直徑均為0.8mm，兩相鄰金屬通孔間距離是1.2mm。

優(yōu)點地，二介質(zhì)基板1、2均采用R05880型號，介電常數(shù)為2.2，厚度為0.508mm。

實施例1

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的較優(yōu)實施例，一種疊層基片集成波導結(jié)構(gòu)的雙通帶差分濾波器，包括兩個疊層設(shè)置的第一～二介質(zhì)基板1、2，設(shè)置在第一介質(zhì)基板1上表面的上表面金屬層3和設(shè)置在第二介質(zhì)基板2下表面的下表面金屬層4，以及第一～二介質(zhì)基板1、2之間的中間金屬層5，中間金屬層5具有一水平軸線L1和垂直軸線L2，水平軸線L1與信號的傳輸方向相同。

如圖1所示，所述第一～二介質(zhì)基板1、2、上表面金屬層3、中間金屬層5和下表面金屬層4上設(shè)置有多個貫穿的金屬化通孔，金屬化通孔分別在上表面金屬層3與中間金屬層5表面，以及中間金屬層5與下表面金屬層4表面形成通孔陣列，所述上層通孔陣列、上表面金屬層3和中間金屬層5圍包形成基片集成波導上層的四個腔體，分別為第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64，所述下層通孔陣列、中間金屬層5和下表面金屬層4圍包形成基片集成波導下層的兩個腔體，分別為第五腔體65第六腔體66。

本實施例中，前述每個金屬化通孔的直徑是0.8mm，兩個相鄰通孔之間的距離是1.2mm。所述介質(zhì)基板1、2采用R05880型號，介電常數(shù)為2.2，厚度為0.508mm。

參考圖1所示，第一腔體61和第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64分別關(guān)于水平軸線L1對稱，第一腔體61和第四腔體64、第二腔體62和第三腔體63分別關(guān)于垂直軸L2對稱，第五腔體65和第六腔體66關(guān)于垂直軸L2對稱，所述第五腔體65和第六腔體66位于第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64的垂直下層。

所述第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64均為具有第一面積M1的四方形腔體結(jié)構(gòu)，且四個腔體構(gòu)成一個大的四方形腔體，第五腔體65、第六腔體66均為具有第二面積M2的四方形腔體結(jié)構(gòu)，每個腔體的沿水平軸線方向的側(cè)邊具有相同的長度，且前述第二面積M2為第一面積M1的兩倍。

所述第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64之間分別兩兩隔離，第五腔體65和第六腔體66之間相連，并在連接部分形成第一耦合窗口和第二耦合窗口。

優(yōu)選地，所述第一耦合窗口與第二耦合窗口的長度相等，且關(guān)于水平軸線L1對稱。

在第一、二、三、四腔體61、62、63、64對應的上表面金屬層3邊緣的位置分別插入有四條饋線，分別為第一饋線31、第二饋線32、第三饋線33及第四饋線34。

如圖1所示，所述中間金屬層5上蝕刻有第一H型耦合槽線41、第二H型耦合槽線42、第三H型耦合槽線43和第四H型耦合槽線44，且分別位于第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64內(nèi)；所述下表面金屬層4上蝕刻有第五擾動槽線45、第六擾動槽線46、第七擾動槽線47和第八擾動槽線48，其中第五擾動槽線45和第六擾動槽線46位于第五腔體65內(nèi)；第七擾動槽線47和第八擾動槽線48位于第六腔體66內(nèi)，并與第五擾動槽線45、第六擾動槽線46關(guān)于垂直軸線L2對稱分布；第一H型耦合槽線41、第二H型耦合槽線42和第三H型耦合槽線43、第四H型耦合槽線44關(guān)于垂直軸線L2對稱分布，第一H型耦合槽線41、第四H型耦合槽線44和第二H型耦合槽線42、第三H型耦合槽線43關(guān)于水平軸線L1對稱分布，第一H型耦合槽線41、第二H型耦合槽線42、第三H型耦合槽線43和第四H型耦合槽線44結(jié)構(gòu)相同，第五擾動槽線45、第六擾動槽線46、第七擾動槽線47、第八擾動槽線48的結(jié)構(gòu)相同。前述槽線可以采用例如但不限于蝕刻的方式來形成。

所述中間金屬層5上的第一～四H型耦合槽線41、42、43、44兩兩相同，所述下表面金屬層4上的第五～八擾動槽線45、46、47、48的長度相等，第五擾動槽線45與第八擾動槽線48關(guān)于垂直軸線L2對稱，第六擾動槽線46與第七擾動槽線47關(guān)于垂直軸線L2對稱，第五～八擾動槽線45、46、47、48均關(guān)于水平軸線L1對稱，且互相平行。

本實施例中，前述提出的疊層基片集成波導結(jié)構(gòu)的雙通帶差分濾波器的實現(xiàn)方法，其制作過程包括以下步驟：

將第一～二介質(zhì)基板1、2垂直疊放，在第一介質(zhì)基板1的上表面、兩個介質(zhì)基板之間和第二介質(zhì)基板2的下表面分別安裝上表面金屬層3、中間金屬層5和下表面金屬層4，前述第一、二介質(zhì)基板1、2的水平軸線L1與信號的傳輸方向相同；

在第一介質(zhì)基板1、上表面金屬層3、中間金屬層5和下表面金屬層4上形成多個貫穿的金屬化通孔，金屬化通孔分別在上表面金屬層3和中間金屬層5表面，中間金屬層5和下表面金屬層4表面形成通孔陣列，通過所述上層通孔陣列、上表面金屬層3和中間金屬層5圍包形成基片集成波導上層的四個腔體，分別為第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63、第四腔體64、第五腔體65及第六腔體66，其中：第一腔體61和第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64分別關(guān)于水平軸線L1對稱，第一腔體61和第四腔體64、第二腔體62和第三腔體63分別關(guān)于垂直軸L2對稱，第五腔體65和第六腔體66關(guān)于垂直軸L2對稱，所述第五腔體65和第六腔體66位于第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64的垂直下層；所述第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64均為具有第一面積M1的四方形腔體結(jié)構(gòu)，且四個腔體構(gòu)成一個大的四方形腔體，第五腔體65、第六腔體66均為具有第二面積M2的四方形腔體結(jié)構(gòu)，每個腔體的沿水平軸線方向的側(cè)邊具有相同的長度，且前述第二面積M2為第一面積M1的兩倍；且第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64之間分別兩兩隔離，第五腔體65和第六腔體66之間相連，并在連接部分形成第一耦合窗口和第二耦合窗口；

在第一、二、三、四腔體61、62、63、64內(nèi)臨近上表面金屬層3和下表面金屬層4邊緣的位置分別插入有四條饋線，分別為第一饋線31、第二饋線32、第三饋線33及第四饋線34。

在優(yōu)選的實施方式中，前述實現(xiàn)方法還包括以下步驟：

在所述中間金屬層5上蝕刻有第一H型耦合槽線41、第二H型耦合槽線42、第三H型耦合槽線43和第四H型耦合槽線44，且分別位于第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63和第四腔體64內(nèi)，在所述下層表面金屬層4上蝕刻有第五擾動槽線45、第六擾動槽線46、第七擾動槽線47和第八擾動槽線48，其中第五擾動槽線45和第六擾動槽線46位于第五腔體65內(nèi)，第七擾動槽線47和第八擾動槽線48位于第六腔體66內(nèi)，并與第五擾動槽線45、第六擾動槽線46關(guān)于垂直軸線L2對稱分布，第一H型耦合槽線41、第二H型耦合槽線42和第三H型耦合槽線43、第四H型耦合槽線44關(guān)于垂直軸線L2對稱分布，第一H型耦合槽線41、第四H型耦合槽線44和第二H型耦合槽線42、第三H型耦合槽線43關(guān)于水平軸線L1對稱分布，第一H型耦合槽線41、第二H型耦合槽線42、第三H型耦合槽線43和第四H型耦合槽線44結(jié)構(gòu)相同，第五擾動槽線45、第六擾動槽線46、第七擾動槽線47、第八擾動槽線48的結(jié)構(gòu)相同。

本實施例中，優(yōu)選地采用蝕刻方式來形成前述槽線。

更優(yōu)選地，在設(shè)置所述中間層四個H型耦合槽線41、42、43、44和下層四個擾動槽線45、46、47、48時，按照下述方式操作：

將中間金屬層5上的H型耦合槽線41、42、43、44的各部分長度設(shè)置成分別相等，將下表面金屬層4上的四個擾動槽線45、46、47、48的長度設(shè)置成分別相等，將第一擾動槽線45與第四擾動槽線48設(shè)置關(guān)于垂直軸線L2對稱，第二擾動槽線46與第三擾動槽線47設(shè)置關(guān)于垂直軸線L2對稱，四個擾動槽線45、46、47、48均設(shè)置成關(guān)于水平軸線L1對稱，且互相平行。

更優(yōu)選地，前述實現(xiàn)方法還包括以下步驟：

調(diào)節(jié)所述中間層四個H型耦合槽線41、42、43、44的槽線長度和與金屬化通孔間的距離，來調(diào)節(jié)雙通帶的耦合強度；調(diào)節(jié)所述下層四個擾動槽線45、46、47、48的長度和與腔體邊緣的距離，從而提高共模抑制水平。

如圖2所示為根據(jù)圖1實施方式實現(xiàn)的疊層基片集成波導結(jié)構(gòu)的雙通帶差分濾波器的一個帶尺寸表示的三維結(jié)構(gòu)示例，其中：六個腔體寬度均為w,第五腔體65、第六腔體66長度l為第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63及第四腔體64長度的兩倍。第一饋線31、第二饋線32、第三饋線33及第四饋線34分別插入第一腔體61、第二腔體62、第三腔體63及第四腔體64，且相對位置相同，第一饋線31與第二饋線32插入深度為d1，寬度為g1，第三饋線33與第四饋線34插入深度為d2，寬度為g2。

如圖2所示，為了使兩通帶能夠同時達到最優(yōu)的頻率響應，在介質(zhì)基板1、2的中間金屬層5的特定位置蝕刻四個H型耦合槽線，通過調(diào)節(jié)H型耦合槽線的位置或尺寸，可以增強雙通帶的耦合強度。H型槽線與水平軸線L1平行的兩條槽線長度為w2，寬度為S2，與垂直軸線L2平行的槽線長度為S1，寬度為w1，兩條水平槽線分別與所在腔距離最近的水平邊緣相距為m1和m2，垂直槽線位于兩條水平槽線正中間位置。

參考圖1如圖2所示，為了提高差模抑制水平，在介質(zhì)基板2的下表面金屬的特定位置蝕刻了四個擾動槽線。通過調(diào)整擾動槽線的位置或尺寸，可以提高共模抑制。四個擾動槽線寬度均為w3，長度為S3。第五擾動槽線45與第八擾動槽線48關(guān)于垂直軸線對稱，距金屬化通孔6寬度為m3，第六擾動槽線46與第七擾動槽線47關(guān)于垂直軸對稱，距中心軸線金屬化通孔2寬度為m4。

本實施例中，結(jié)合圖2(a)上表面金屬層的結(jié)構(gòu)尺寸示意圖，圖2(b)下表面金屬層的結(jié)構(gòu)尺寸示意圖，為實現(xiàn)基于疊層基片集成波導結(jié)構(gòu)，具有較高共模抑制、帶間隔離度和可控中心頻率的共模抑制增強型雙通帶差分濾波器，最優(yōu)化尺寸參數(shù)為:l＝30.12mm；w＝15mm；S1＝2.44mm；S2＝1mm；S3＝6.4mm；m1＝1.424mm；m2＝1.424mm；m3＝2.05mm；m4＝2.05mm；w1＝1mm；w2＝2.4mm；w3＝0.9mm；d1＝3.5mm；d2＝3.5mm；g1＝4mm；g2＝4mm。

如圖3所示的平衡濾波器仿真和測試結(jié)果圖。對于差模響應，第一差模通帶的中心頻率為9.51GHz，3dB帶寬為260MHz，包括SMA接頭、2.4轉(zhuǎn)3.5mm轉(zhuǎn)接頭和彎曲的饋線在內(nèi)，實測的最小插入損耗為2.77dB，回波損耗優(yōu)于17dB。第二差模通帶的中心頻率為14.95GHz，3dB帶寬為790MHz，包括SMA接頭和彎曲的饋線在內(nèi)，實測的最小插入損耗為2.42dB回波損耗優(yōu)于19dB。對于共模響應，在第一差模通帶和第二差模通帶的最小共模抑制分別為41dB和43dB。第二差模通帶在fTE201頻點的共模抑制能力提高20dB。

雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可做各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求書所界定者為準。