本發(fā)明涉及一種光伏發(fā)電部件，具體涉及一種單I段型聚光光伏電池芯片，屬太陽能光伏發(fā)電技術領域。

背景技術：

通常，聚光光伏發(fā)電系統(tǒng)所尋求的主要益處是在聚光光伏電池芯片的有效面積上得到從菲涅爾透鏡匯聚的高密度太陽光。透鏡的倍數越高，得到太陽光的密度越高，相同面積上使用的聚光光伏電池芯片越少，單位面積上的發(fā)電成本就越低。

目前通常從菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑都為正方形，該焦斑的形狀和大小也通常和聚光光伏電池芯片的形狀和大小一致，從而使菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑可以完全匯聚到聚光光伏電池芯片上。但是在實際應用中，聚光光伏電池芯片上的負電極層總是小于聚光光伏電池基材層，由于聚光光伏電池基材層上的基材材料相對很貴（一個平方厘米大小的基材材料大約在50元人民幣左右），這樣就極大浪費了聚光光伏電池基材層的基材材料；另外，隨著透鏡倍數的增高，聚光光伏電池芯片受光面上的電極將會增大，這樣就會減小聚光光伏電池芯片的有效受光面積，同時由于透鏡的匯聚率不可能達到100%，在有效受光面外面（特別是在聚光光伏電池芯片的電極上的匯聚光）的匯聚光也不能轉換為電，這樣也會大大降低聚光光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的是提供一種單I段型聚光光伏電池芯片，該電池芯片在于克服現有技術的不足。

為了實現上述技術目的，本發(fā)明采取的技術方案是：一種單I段型聚光光伏電池芯片，其特征是，它包括負電極段層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負電極段層，另一面覆上正電極層，所述負電極段層之外的部分為有效面積。

所述負電極段層的寬度為0.5~1.5mm，厚度為0.2~1mm的平整I字形形狀，負電極段層和聚光光伏電池基材層其中一個端面完全重合。

所述聚光光伏電池基材層為GaInP（磷化銦嫁）/GaAs（砷化鎵）/Ge（鍺）三層組合體。

所述正電極層為一完全密封的平面，正電極層面積形狀和聚光光伏電池基材層面積形狀完全一樣。

所述有效面積為正方形形狀。

本發(fā)明的優(yōu)點和積極效果是：1、該種電池芯片能極大地減少聚光光伏電池基材材料的用量，這樣就能減少聚光光伏電池芯片的制作成本；2、寬度為0.5~1.5mm和厚度為0.2~1mm的負電極能夠承受可達50安培的額定電流，3、隨著透鏡聚光倍數的增高，增大電極段寬度的同時，通過調整電極為電極段，保持了受光面積的不變性，達到聚光光伏系統(tǒng)整體的發(fā)電效率不減少，4、通過增大負電極段的寬度，能保證在增大透鏡的放大倍數之后，匯聚光轉換為大電流電能能順利通過負電極段導出來。

附圖說明

圖1為一種單I段型聚光光伏電池芯片主視圖。

圖2為一種單I段型聚光光伏電池芯片俯視圖。

其中：1、負電極段層，2、聚光光伏電池基材層，3、正電極層，4、有效面積。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。

一種單I段型聚光光伏電池芯片，如圖1～2所示，包括負電極段層1，聚光光伏電池基材層2，正電極層3和有效面積4，所述聚光光伏電池基材層2一面覆上負電極段層1，另一面覆上正電極層3，所述負電極段層3之外的部分為有效面積4，所述負電極段層1的寬度為0.5~1.5mm，厚度為0.2~1mm的平整I字形形狀，既能保證大電流很順暢地通過正電極層3和負電極層1引導出來，也能保證各電極層和連接線能承受50安培的額定電流，同時還能保證很好地焊接或者綁定200um~1mm的導線，且導線線頭不會進入到聚光光伏電池芯片的有效面積內，負電極段層和聚光光伏電池基材層其中一個端面完全重合，這樣就完全利用了聚光光伏電池基材層，從而達到節(jié)約聚光光伏電池基材層基材材料的目的；另外增大負電極段的寬度，就能保證在增大透鏡的放大倍數之后，匯聚光轉換為大電流電能能順利通過負電極段導出來，同時負電極段寬度的增大之外的有效面積和原負電極之外的有效面積不變。

本發(fā)明中，作為變行實施例，聚光光伏電池芯片的正電極層和負電極段層也可以交換過來設定制作，負電極段層和聚光光伏電池基材層其中任意一個端面完全重合，故本發(fā)明的權利保護范圍以權利要求書限定的范圍為準。