本發(fā)明涉及太陽(yáng)能技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單晶硅太陽(yáng)能板。

背景技術(shù)：

單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽(yáng)能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢(shì)，近三十年來(lái)，太陽(yáng)能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場(chǎng)開拓方面都獲得了長(zhǎng)足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。

單晶硅可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位。

在光伏技術(shù)和微小型半導(dǎo)體逆變器技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池可以直接把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始。北京2008年奧運(yùn)會(huì)將把綠色奧運(yùn)做為重要展示面向全世界展現(xiàn)，單晶硅的利用在其中將是非常重要的一環(huán)?，F(xiàn)在，國(guó)外的太陽(yáng)能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過渡，太陽(yáng)能硅單晶的利用將是普及到全世界范圍，市場(chǎng)需求量不言而喻。

目前單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為18％左右，最高的達(dá)到24％，如何進(jìn)一步提高單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率是擺在研發(fā)人員面前迫切需要解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為解決上述問題，提供一種光電轉(zhuǎn)換效率高、使用壽命長(zhǎng)的單晶硅太陽(yáng)能板。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

一種單晶硅太陽(yáng)能板，所述單晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由鋼化玻璃、eva、減反射膜、太陽(yáng)能電池板芯片組成。

所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射膜接觸面上蒸鍍有緩沖層。

所述緩沖層為氮化鎵層。

所述氮化鎵層厚度為10～12nm。

所述氮化鎵層通過化學(xué)氣相沉積蒸鍍?cè)谒鎏?yáng)能電池板芯片上。

所述減反射膜為氮化硅。

所述氮化硅厚度為50～70nm。

所述鋼化玻璃包括以下重量份的原料：

二氧化硅30-50份，珠光粉0.2-0.6份，氧化鋯0.1-0.3份，碳酸鈉5-8份，硅酸鈣2-4份，銀粉0.2-0.8份，二氧化錳0.3-0.5份，二氧化鈦0.5-0.8份，氧化鐵0.1-0.3份，氮化鎵0.2-0.5份，氧化鋅0.5-0.8份，氧化鎳0.3-0.7份。

所述eva由以下重量份的原料組成：

乙烯20-30份，醋酸乙烯脂20-25份，醋酸-丙酸纖維素1.0-1.5份，氯化聚乙烯1.2-1.8份，酪蛋白0.3-0.5份，發(fā)泡聚苯乙烯0.6-0.8份，聚芳酯1.5-2.0份，聚丙烯酸丁酯0.2-0.4份，聚氯乙烯0.6-1.0份發(fā)，酚醛樹脂0.3-0.7份，聚異丁烯0.5-0.8份。

本發(fā)明的有益效果為：?jiǎn)尉Ч杞M成的太陽(yáng)能電池板芯片在其表面直接蒸鍍減反射膜，特別是當(dāng)減反射膜為氮化硅時(shí)，由于氮化硅與單晶硅之間的晶格失配，在接觸面產(chǎn)生較大的應(yīng)力，從而使缺陷增多，過多的缺陷造成太陽(yáng)光不能有效的到達(dá)太陽(yáng)能電池板芯片，進(jìn)而影響到光電轉(zhuǎn)化效率，通過蒸鍍一層緩沖層(氮化鎵)，減少氮化硅與單晶硅之間的晶格失配，提高太陽(yáng)能電池板芯片的吸光量，同時(shí)氮化鎵薄層本身就是很好的透光材料，不會(huì)影響到太陽(yáng)光的入射；鋼化玻璃中添加珠光粉、氧化鋯、碳酸鈉等添加劑，使得鋼化玻璃透光率更高，同時(shí)增強(qiáng)鋼化玻璃抗腐蝕、耐油污能力，延長(zhǎng)其使用壽命；本發(fā)明提供的eva配方，制得的eva抗拉強(qiáng)度大于35mpa，可見光透射率在98％以上，粘接強(qiáng)度在3～5kg/cm，同時(shí)具有較好的耐熱、耐濕性，抗沖擊性能好；本發(fā)明制得的單晶硅太陽(yáng)能板光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到26％以上，使用15～20年依然保持較高的光電轉(zhuǎn)化效率。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。

實(shí)施例1

一種單晶硅太陽(yáng)能板，所述單晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由鋼化玻璃、eva、減反射膜、太陽(yáng)能電池板芯片組成。

所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射膜接觸面上蒸鍍有緩沖層。

所述緩沖層為氮化鎵層。

所述氮化鎵層厚度為10nm。

所述氮化鎵層通過化學(xué)氣相沉積蒸鍍?cè)谒鎏?yáng)能電池板芯片上。

所述減反射膜為氮化硅。

所述氮化硅厚度為50nm。

所述鋼化玻璃包括以下重量份的原料：

二氧化硅30份，珠光粉0.2份，氧化鋯0.1份，碳酸鈉5份，硅酸鈣2份，銀粉0.2份，二氧化錳0.3份，二氧化鈦0.5份，氧化鐵0.1份，氮化鎵0.2份，氧化鋅0.5份，氧化鎳0.3份。

所述eva由以下重量份的原料組成：

乙烯20份，醋酸乙烯脂20份，醋酸-丙酸纖維素1.0份，氯化聚乙烯1.2份，酪蛋白0.3份，發(fā)泡聚苯乙烯0.6份，聚芳酯1.5份，聚丙烯酸丁酯0.2份，聚氯乙烯0.6份發(fā)，酚醛樹脂0.3份，聚異丁烯0.5份。

實(shí)施例2

一種單晶硅太陽(yáng)能板，所述單晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由鋼化玻璃、eva、減反射膜、太陽(yáng)能電池板芯片組成。

所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射膜接觸面上蒸鍍有緩沖層。

所述緩沖層為氮化鎵層。

所述氮化鎵層厚度為11nm。

所述氮化鎵層通過化學(xué)氣相沉積蒸鍍?cè)谒鎏?yáng)能電池板芯片上。

所述減反射膜為氮化硅。

所述氮化硅厚度為60nm。

所述鋼化玻璃包括以下重量份的原料：

二氧化硅40份，珠光粉0.4份，氧化鋯0.2份，碳酸鈉6份，硅酸鈣3份，銀粉0.5份，二氧化錳0.4份，二氧化鈦0.6份，氧化鐵0.2份，氮化鎵0.3份，氧化鋅0.7份，氧化鎳0.5份。

所述eva由以下重量份的原料組成：

乙烯20份，醋酸乙烯脂20份，醋酸-丙酸纖維素1.0份，氯化聚乙烯1.2份，酪蛋白0.3份，發(fā)泡聚苯乙烯0.6份，聚芳酯1.5份，聚丙烯酸丁酯0.2份，聚氯乙烯0.6份發(fā)，酚醛樹脂0.3份，聚異丁烯0.5份。

實(shí)施例3

一種單晶硅太陽(yáng)能板，所述單晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由鋼化玻璃、eva、減反射膜、太陽(yáng)能電池板芯片組成。

所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射膜接觸面上蒸鍍有緩沖層。

所述緩沖層為氮化鎵層。

所述氮化鎵層厚度為12nm。

所述氮化鎵層通過化學(xué)氣相沉積蒸鍍?cè)谒鎏?yáng)能電池板芯片上。

所述減反射膜為氮化硅。

所述氮化硅厚度為70nm。

所述鋼化玻璃包括以下重量份的原料：

二氧化硅50份，珠光粉0.6份，氧化鋯0.3份，碳酸鈉8份，硅酸鈣4份，銀粉0.8份，二氧化錳0.5份，二氧化鈦0.8份，氧化鐵0.3份，氮化鎵0.5份，氧化鋅0.8份，氧化鎳0.7份。

所述eva由以下重量份的原料組成：

乙烯20份，醋酸乙烯脂20份，醋酸-丙酸纖維素1.0份，氯化聚乙烯1.2份，酪蛋白0.3份，發(fā)泡聚苯乙烯0.6份，聚芳酯1.5份，聚丙烯酸丁酯0.2份，聚氯乙烯0.6份發(fā)，酚醛樹脂0.3份，聚異丁烯0.5份。

實(shí)施例4

一種單晶硅太陽(yáng)能板，所述單晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由鋼化玻璃、eva、減反射膜、太陽(yáng)能電池板芯片組成。

所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射膜接觸面上蒸鍍有緩沖層。

所述緩沖層為氮化鎵層。

所述氮化鎵層厚度為11nm。

所述氮化鎵層通過化學(xué)氣相沉積蒸鍍?cè)谒鎏?yáng)能電池板芯片上。

所述減反射膜為氮化硅。

所述氮化硅厚度為60nm。

所述鋼化玻璃包括以下重量份的原料：

二氧化硅40份，珠光粉0.4份，氧化鋯0.2份，碳酸鈉6份，硅酸鈣3份，銀粉0.5份，二氧化錳0.4份，二氧化鈦0.6份，氧化鐵0.2份，氮化鎵0.3份，氧化鋅0.7份，氧化鎳0.5份。

所述eva由以下重量份的原料組成：

乙烯25份，醋酸乙烯脂23份，醋酸-丙酸纖維素1.3份，氯化聚乙烯1.5份，酪蛋白0.4份，發(fā)泡聚苯乙烯0.7份，聚芳酯1.8份，聚丙烯酸丁酯0.3份，聚氯乙烯0.8份發(fā)，酚醛樹脂0.5份，聚異丁烯0.6份。

實(shí)施例5

一種單晶硅太陽(yáng)能板，所述單晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由鋼化玻璃、eva、減反射膜、太陽(yáng)能電池板芯片組成。

所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射膜接觸面上蒸鍍有緩沖層。

所述緩沖層為氮化鎵層。

所述氮化鎵層厚度為11nm。

所述氮化鎵層通過化學(xué)氣相沉積蒸鍍?cè)谒鎏?yáng)能電池板芯片上。

所述減反射膜為氮化硅。

所述氮化硅厚度為60nm。

所述鋼化玻璃包括以下重量份的原料：

二氧化硅40份，珠光粉0.4份，氧化鋯0.2份，碳酸鈉6份，硅酸鈣3份，銀粉0.5份，二氧化錳0.4份，二氧化鈦0.6份，氧化鐵0.2份，氮化鎵0.3份，氧化鋅0.7份，氧化鎳0.5份。

所述eva由以下重量份的原料組成：

乙烯30份，醋酸乙烯脂25份，醋酸-丙酸纖維素1.5份，氯化聚乙烯1.8份，酪蛋白0.5份，發(fā)泡聚苯乙烯0.8份，聚芳酯2.0份，聚丙烯酸丁酯0.4份，聚氯乙烯1.0份發(fā)，酚醛樹脂0.7份，聚異丁烯0.8份。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選例，并不用來(lái)限制本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。