技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種鐵電場效應(yīng)晶體管，包括：襯底；在所述襯底上形成的溝道層；在所述溝道層上形成的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)對稱形成于所述溝道層的兩端；在所述溝道層上且在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間形成的緩沖層；在所述緩沖層上形成的鐵電柵介質(zhì)層；在所述鐵電柵介質(zhì)層上形成的柵電極；在所述源極區(qū)上形成的源電極；以及在所述漏極區(qū)上形成的漏電極。本發(fā)明采用β?Ga2O3作為溝道材料，所述晶體管具有較好的抗輻射性能。同時，本發(fā)明還提供一種所述鐵電場效應(yīng)晶體管的制備方法。

技術(shù)研發(fā)人員：廖敏;肖文武;周益春;彭強(qiáng)祥;鐘向麗;王金斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘潭大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.08
技術(shù)公布日：2017.10.10