技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種雙芯片垂直并聯(lián)方式的二極體封裝結(jié)構(gòu)，包括由外引線A、外引線B和載片臺(tái)組成的引線框架、內(nèi)引線A、內(nèi)引線B、第一芯片和第二芯片，外引線A和外引線B上均設(shè)有定位臺(tái)階；內(nèi)引線A和內(nèi)引線B分別焊接于外引線A的定位臺(tái)階和外引線B的定位臺(tái)階；第一芯片的陽極面與陰極面分別焊接在內(nèi)引線A的底面和內(nèi)引線B的頂面，第二芯片的陰極面和陽極面分別焊接在內(nèi)引線B的底面和載片臺(tái)的頂面。本實(shí)用新型可在小型化封裝的尺寸內(nèi)，使二極體器件實(shí)現(xiàn)更大的電流能力和功率能力。

技術(shù)研發(fā)人員：李成軍;薛治祥;張松
受保護(hù)的技術(shù)使用者：捷捷半導(dǎo)體有限公司
文檔號(hào)碼：201720160787
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.22
技術(shù)公布日：2017.09.19