陣列基板及其制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及顯示技術領域，具體的說，設及一種陣列基板及其制造方法。
【背景技術】
[0002] 隨著顯示技術的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。
[0003] 平面轉換（In-Plane Switching,簡稱IP巧技術及邊緣場開關（Rringe Field Switching,簡稱FF巧技術均W水平方向的電場驅動液晶，具有寬視角，高亮度，高對比度， 快速響應等優(yōu)點。隨著當前液晶顯示器的分辨率、刷新率不斷提高，每個子像素單元中的薄 膜晶體管（Thin Film Transistor,簡稱TFT)的開啟時間也在不斷減少。W傳統(tǒng)的非晶娃 作為薄膜晶體管的有源層，將不能保證子像素單元在短時間內(nèi)充入足夠的電壓。
[0004] 非晶金屬氧化物半導體相比于非晶娃半導體，具有更高的遷移率，其遷移率可達 到lOcmVV ?SW上，因此被廣泛應用于高分辨率、高刷新率的顯示裝置中。但是，目前采用 氧化物薄膜晶體管的陣列基板的制造過程中通常需要六次構圖工藝，因此現(xiàn)有技術存在制 造工藝過于復雜的技術問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法，W解決現(xiàn)有的制造工藝過于 復雜的技術問題。
[0006] 本發(fā)明提供一種陣列基板，包括形成于襯底基板上的多個子像素單元，每個所述 子像素單元中包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極；
[0007] 所述像素電極形成于所述襯底基板上；
[000引所述薄膜晶體管的漏極形成于所述像素電極上，所述薄膜晶體管的源極與所述漏 極位于同一圖層；
[0009] 所述薄膜晶體管的半導體層形成于所述源極和所述漏極上；
[0010] 所述像素電極、所述源極、所述漏極和所述半導體層上覆蓋有柵極絕緣層；
[0011] 所述薄膜晶體管的柵極和所述公共電極形成于所述柵極絕緣層上，其中，所述柵 極為透明電極，且與所述公共電極位于同一圖層。
[0012] 優(yōu)選的是，所述半導體層為氧化物半導體材料。
[0013] 進一步的是，該陣列基板還包括掃描線和數(shù)據(jù)線；
[0014] 所述數(shù)據(jù)線與所述源極、所述漏極位于同一圖層；
[0015] 所述掃描線包括第一金屬線和連接電極；
[0016] 所述第一金屬線與所述數(shù)據(jù)線位于同一圖層，所述連接電極與所述柵極位于同一 圖層；
[0017] 所述柵極絕緣層開設有第一過孔，所述連接電極通過所述第一過孔與所述第一金 屬線相連。
[0018] 進一步的是，該陣列基板還包括公共電極線，所述公共電極線包括第二金屬線，所 述第二金屬線與所述數(shù)據(jù)線位于同一圖層；
[0019] 所述柵極絕緣層開設有第二過孔，所述公共電極通過所述第二過孔與所述第二金 屬線相連。
[0020] 進一步的是，所述掃描線還包括第=金屬線；
[0021] 所述第=金屬線形成于所述連接電極上，且位于所述第一金屬線正上方。
[0022] 進一步的是，所述公共電極線還包括第四金屬線；
[0023] 所述第四金屬線形成于所述公共電極上，且位于所述第二金屬線正上方。
[0024] 本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，包括：
[0025] 第一次構圖工藝；利用半色調(diào)掩膜版進行構圖，形成像素電極，W及源極、漏極、數(shù) 據(jù)線、第一金屬線和第二金屬線；
[0026] 第二次構圖工藝；利用掩膜版進行構圖，形成半導體層；
[0027] 第=次構圖工藝；利用掩膜版進行構圖，形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層開設有 第一過孔和第二過孔；
[002引第四次構圖工藝；利用掩膜版進行構圖，形成柵極、公共電極和連接電極，所述連 接電極通過所述第一過孔與所述第一金屬線相連，所述公共電極通過所述第二過孔與所述 第二金屬線相連。
[0029] 優(yōu)選的是，所述第一次構圖工藝，具體包括：
[0030] 在襯底基板上依次形成第一透明電極層和第一金屬層；
[0031] 在所述第一金屬層上涂敷光刻膠，并利用半色調(diào)掩膜版進行曝光；
[0032] 對所述第一金屬層和所述第一透明電極層進行蝕刻，形成源極、漏極、數(shù)據(jù)線、第 一金屬線和第二金屬線；
[0033] 對光刻膠進行灰化；
[0034] 對所述第一金屬層進行蝕刻，形成像素電極；
[0035] 剝離剩余的光刻膠。
[0036] 進一步的是，在所述第四次構圖工藝中，還形成第S金屬線和第四金屬線；
[0037] 所述第=金屬線形成于所述連接電極上，且位于所述第一金屬線正上方；
[003引所述第四金屬線形成于所述公共電極上，且位于所述第二金屬線正上方。
[0039] 優(yōu)選的是，所述第四次構圖工藝，具體包括：
[0040] 在柵極絕緣層上依次形成第二透明電極層和第二金屬層；
[0041] 在所述第二金屬層上涂敷光刻膠，并利用半色調(diào)掩膜版進行曝光；
[0042] 對所述第二金屬層和所述第二透明電極層進行蝕刻，形成柵極、連接電極、第=金 屬線和第四金屬線；
[0043] 對光刻膠進行灰化；
[0044] 對所述第二金屬層進行蝕刻，形成公共電極；
[0045] 剝離剩余的光刻膠。
[0046] 本發(fā)明帶來了 W下有益效果；本發(fā)明提供的陣列基板中，薄膜晶體管的柵極為透 明電極，并且與公共電極位于同一圖層，使柵極和公共電極可W在同一次構圖工藝中同步 形成。另外，該陣列基板中的像素電極和薄膜晶體管的源極、漏極也可W利用半色調(diào)掩膜 版，在同一次構圖工藝中依次形成。因此本發(fā)明提供的技術方案中，通過四次構圖工藝就能 夠制成陣列基板，從而解決了現(xiàn)有的陣列基板的制造工藝過于復雜的技術問題。
[0047] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變 得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利 要求書W及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0048] 為了更清楚的說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的 附圖做簡單的介紹：
[0049] 圖1是本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的平面示意圖；
[0050] 圖2是圖1中沿A-A線的剖面圖；
[0化1] 圖3是圖1中沿B-B線的剖面圖；
[0化2] 圖4是本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法中經(jīng)第一次構圖工藝后的平面 不意圖；
[0化3] 圖5是本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法中經(jīng)第二次構圖工藝后的平面 不意圖；
[0化4]圖6是本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法中經(jīng)第=次構圖工藝后的平面 不意圖；
[0055] 圖7是本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的平面示意圖；
[0056] 圖8是圖7中沿A-A線的剖面圖；
[0057] 圖9是圖7中沿B-B線的剖面圖。
【具體實施方式】
[0化引 W下將結合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應用 技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)W實施。需要說明 的是，只要不構成沖突，本發(fā)明中的各個實施例W及各實施例中的各個特征可W相互結合， 所形成的技術方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[005引 連施例一:
[0060] 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，可應用于高分辨率、高刷新率的液晶顯示裝置。 該陣列基板包括形成于襯底基板上的多個子像素單元，如圖1、圖2和圖3所示，每個