一種應(yīng)用于集成電路的高壓取電電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于集成電路的高壓取電電路，其包括場效應(yīng)管J0、用于限流的電阻R、用于穩(wěn)壓的齊納二極管Z0、MOS管N0、用于穩(wěn)壓的電容C、輸出電壓端Vreg；場效應(yīng)管J0漏極與高壓VPP連接，電阻R另一端、齊納二極管Z0陰極均與MOS管N0柵極連接，輸出電壓端Vreg、電容C正極均與MOS管N0源極連接，場效應(yīng)管J0柵極、齊納二極管Z0陽極、電容C負極、MOS管N0襯底電極均接地GND。其中，本發(fā)明只需要場效應(yīng)管J0、電阻R、齊納二極管Z0、MOS管N0、電容C等幾個簡單的電子元器件構(gòu)成的電路，即實現(xiàn)高壓取電，保持輸出電壓恒定，電路結(jié)構(gòu)簡單、實用，而且電路功耗較低。
【專利說明】—種應(yīng)用于集成電路的高壓取電電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高壓取電電路【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種應(yīng)用于集成電路的高壓取電電路。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路是一種微型電子器件或部件，它采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。在電路設(shè)計【技術(shù)領(lǐng)域】，有時需要在集成電路中設(shè)置高壓取電電路，例如:從幾百甚至上千伏特的高壓中取電?，F(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用于集成電路的高壓取電電路，技術(shù)很復(fù)雜，電子元器件眾多，不實用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種電路結(jié)構(gòu)簡單的應(yīng)用于集成電路的聞壓取電電路。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于集成電路的高壓取電電路，包括場效應(yīng)管J0、用于限流的電阻R、用于穩(wěn)壓的齊納二極管ZO、MOS管NO、用于穩(wěn)壓的電容C、輸出電壓端Vreg ；
[0005]所述場效應(yīng)管JO漏極與高壓VPP連接，所述電阻R —端、MOS管NO漏極均與場效應(yīng)管JO源極連接，所述電阻R另一端、齊納二極管ZO陰極均與MOS管NO柵極連接，所述輸出電壓端Vreg、電容C正極均與MOS管NO源極連接，所述場效應(yīng)管JO柵極、齊納二極管ZO陽極、電容C負極、MOS管NO襯底電極均接地GND。
[0006]較佳地，所述MOS管NO為NMOS管，且MOS管NO為功率管。
[0007]本發(fā)明有益效果在于:
[0008]本發(fā)明只需要場效應(yīng)管J0、電阻R、齊納二極管ZO、MOS管NO、電容C等幾個簡單的電子元器件構(gòu)成的電路，即實現(xiàn)高壓取電，保持輸出電壓恒定，電路結(jié)構(gòu)簡單、實用，而且電路功耗較低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。
[0011]請參考圖1，本發(fā)明應(yīng)用于集成電路的高壓取電電路，包括場效應(yīng)管J0、用于限流的電阻R、用于穩(wěn)壓的齊納二極管Z0、M0S管NO、用于穩(wěn)壓的電容C、輸出電壓端Vreg。
[0012]其中，場效應(yīng)管JO漏極與高壓VPP連接，電阻R—端、MOS管NO漏極均與場效應(yīng)管JO源極連接，電阻R另一端、齊納二極管ZO陰極均與MOS管NO柵極連接，輸出電壓端Vreg、電容C正極均與MOS管NO源極連接，場效應(yīng)管JO柵極、齊納二極管ZO陽極、電容C負極、MOS管NO襯底電極均接地GND。
[0013]在本實施例中，MOS管NO為NMOS管，且MOS管NO為功率管。
[0014]假設(shè)場效應(yīng)管JO源極的電壓為Vpch，MOS管NO柵極的電壓為Vz，MOS管NO的閾值電壓為Vthn，則本發(fā)明的具體工作原理，如下:在場效應(yīng)管JO的作用下，Vpch可以在較低范圍內(nèi)波動，相對VPP的幾百甚至上千伏特的高壓而言，Vpch只有幾十伏特，利用齊納二極管ZO的擊穿特性，Vz保持恒定，電阻R起到限流作用，電容C起到穩(wěn)壓的作用，通過MOS管NO的作用，所以輸出電壓Vreg=Vz-Vthn,而Vz、Vthn均為一定的，從而保持輸出電壓Vreg恒定。
[0015]因此，本發(fā)明只需要場效應(yīng)管J0、電阻R、齊納二極管Z0、M0S管NO、電容C等幾個簡單的電子元器件構(gòu)成的電路，即實現(xiàn)高壓取電，保持輸出電壓恒定，電路結(jié)構(gòu)簡單、實用，而且電路功耗較低。
[0016]最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對本發(fā)明保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明作了詳細地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于集成電路的高壓取電電路，其特征在于:包括場效應(yīng)管(J0)、用于限流的電阻(R)、用于穩(wěn)壓的齊納二極管(ZO)、MOS管(NO)、用于穩(wěn)壓的電容(C)、輸出電壓端(Vreg)； 所述場效應(yīng)管(JO)漏極與高壓(VPP)連接，所述電阻(R) —端、MOS管(NO)漏極均與場效應(yīng)管(JO)源極連接，所述電阻(R)另一端、齊納二極管(ZO)陰極均與MOS管(NO)柵極連接，所述輸出電壓端(Vreg)、電容(C)正極均與MOS管(NO)源極連接，所述場效應(yīng)管(JO)柵極、齊納二極管(ZO )陽極、電容(C)負極、MOS管(NO )襯底電極均接地(GND )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于集成電路的高壓取電電路，其特征在于:所述MOS管(NO)為NMOS管，且MOS管(NO)為功率管。
【文檔編號】H02M3/155GK103887969SQ201410077741
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年3月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月4日
【發(fā)明者】劉成軍 申請人:東莞博用電子科技有限公司