技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置及基片制作方法，其中，包括反應(yīng)腔體，其中所述反應(yīng)腔體的至少部分頂板由絕緣材料制成的絕緣材料窗。基片支撐裝置，設(shè)置于所述反應(yīng)腔體中的所述絕緣材料窗的下方。射頻功率發(fā)射裝置位于所述絕緣材料窗上方，以發(fā)射射頻功率穿過所述絕緣材料窗進(jìn)入到所述反應(yīng)腔體中。反應(yīng)氣體注入器，其用于向所述反應(yīng)腔內(nèi)供應(yīng)反應(yīng)氣體；在所述反應(yīng)氣體注入器下方設(shè)置若干載流氣體注入器，用于向反應(yīng)腔內(nèi)注入一定流速的載流氣體，通過調(diào)節(jié)所述載流氣體的流速大小可以有效改變載流氣體對反應(yīng)氣體的擴(kuò)散的約束力大小，進(jìn)而控制反應(yīng)氣體在所述反應(yīng)腔內(nèi)的不同分布以滿足不同工藝的需求。

技術(shù)研發(fā)人員：吳狄;黃智林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.25
技術(shù)公布日：2017.10.31