1.一種功率放大器，包括：
第一級聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括：
第一MOSFET，具有源極、漏極和柵極，以及
第一JFET，具有源極、漏極和柵極，
所述第一MOSFET的漏極耦合至所述第一JFET的源極；以及
第一電容器，電連接在所述第一JFET的源極與所述第一JFET的漏極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其中所述第一MOSFET的柵極耦合至輸入信號源，并且所述第一JFET的柵極耦合至地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，進(jìn)一步包括：
第二級聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括：
第二MOSFET，具有源極、漏極和柵極，以及
第二JFET，具有源極、漏極和柵極，
所述第二MOSFET的漏極耦合至所述第二JFET的源極；以及
第二電容器，電連接在所述第二JFET的源極與所述第二JFET的漏極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率放大器，其中所述第一MOSFET的柵極和所述第二MOSFET的柵極均耦合至輸入信號源，并且所述第一JFET的柵極和所述第二JFET的柵極均耦合至地。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率放大器，其中所述第一電容器和所述第二電容器是匹配的。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率放大器，進(jìn)一步包括：
第三電容器，電連接在所述第一MOSFET的柵極與所述第二MOSFET的源極之間；
第四電容器，電連接在所述第二MOSFET的柵極與所述第一MOSFET的源極之間；
第一電感器，電連接在地與所述第一MOSFET的源極之間；以及
第二電感器，電連接在地與所述第二MOSFET的源極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率放大器，其中所述第一電容器和所述第二電容器是匹配的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大器，其中所述第三電容器和所述第四電容器是匹配的。
9.一種差分功率放大器，包括：
第一級聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括：
第一MOSFET，具有源極、漏極和柵極，以及
第一JFET，具有源極、漏極和柵極，
所述第一MOSFET的漏極耦合至所述第一JFET的源極；
第二級聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括：
第二MOSFET，具有源極、漏極和柵極，以及
第二JFET，具有源極、漏極和柵極，
所述第二MOSFET的漏極耦合至所述第二JFET的源極；
第一電容器，電連接在所述第一MOSFET的柵極與所述第二MOSFET的源極之間；
第二電容器，電連接在所述第二MOSFET的柵極與所述第一MOSFET的源極之間；
第一電感器，電連接在地與所述第一MOSFET的源極之間；以及
第二電感器，電連接在地與所述第二MOSFET的源極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的差分功率放大器，其中所述第一MOSFET的柵極和所述第二MOSFET的柵極均耦合至輸入信號源，并且所述第一JFET的柵極和所述第二JFET的柵極均耦合至地。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的差分功率放大器，其中所述第一電容器和所述第二電容器是匹配的。