技術(shù)編號：12065873
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種沉積設(shè)備，尤其是高產(chǎn)能半導體薄膜沉積裝置，主要應(yīng)用于半導體設(shè)備。背景技術(shù)隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，需要提高設(shè)備工作效率。目前反應(yīng)腔與儲存腔、傳片腔單一循環(huán)進行工藝，設(shè)備的等待時間長。發(fā)明內(nèi)容針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了高產(chǎn)能半導體薄膜沉積裝置。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：高產(chǎn)能半導體薄膜沉積裝置，包括前置設(shè)備(1)、儲存腔(2)、傳片腔(3)及反應(yīng)腔(4)。前置設(shè)備(1)通過門閥與儲存腔(2)連接，晶圓升降機構(gòu)處于儲存腔(2)內(nèi)。儲存腔(2)與傳片腔(3)連接。傳片...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。