本發(fā)明涉及一種沉積設(shè)備，尤其是高產(chǎn)能半導(dǎo)體薄膜沉積裝置，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，需要提高設(shè)備工作效率。目前反應(yīng)腔與儲存腔、傳片腔單一循環(huán)進(jìn)行工藝，設(shè)備的等待時間長。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了高產(chǎn)能半導(dǎo)體薄膜沉積裝置。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：高產(chǎn)能半導(dǎo)體薄膜沉積裝置，包括前置設(shè)備(1)、儲存腔(2)、傳片腔(3)及反應(yīng)腔(4)。前置設(shè)備(1)通過門閥與儲存腔(2)連接，晶圓升降機(jī)構(gòu)處于儲存腔(2)內(nèi)。儲存腔(2)與傳片腔(3)連接。傳片腔(3)與三個反應(yīng)腔(4)連接。儲存腔(2)內(nèi)安裝晶圓升降機(jī)構(gòu)。傳片腔(3)內(nèi)安裝雙層機(jī)械手。

本發(fā)明的有益效果及特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)緊湊合理，前置設(shè)備(1)通過門閥與儲存腔(2)連接，傳片腔(3)與三個反應(yīng)腔(4)連接。儲存腔內(nèi)安裝晶圓升降機(jī)構(gòu)。傳片腔(3)安裝雙層機(jī)械手，可以滿足使用要求。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1的A-A剖視圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清晰、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1和圖2所示：高產(chǎn)能半導(dǎo)體薄膜沉積裝置，包括前置設(shè)備1、儲存腔2、傳片腔3及反應(yīng)腔4。前置設(shè)備1通過門閥與儲存腔2連接，晶圓升降機(jī)構(gòu)6處于儲存腔2內(nèi)。儲存腔2與傳片腔3連接。傳片腔3與三個反應(yīng)腔4連接。儲存腔2內(nèi)安裝晶圓升降機(jī)構(gòu)6。傳片腔3內(nèi)安裝雙層機(jī)械手5。

當(dāng)反應(yīng)腔進(jìn)行工藝時，傳片可以繼續(xù)進(jìn)行傳片，以滿足使用要求。