技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型屬于碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種液相生長(zhǎng)碳化硅的裝置，包括坩堝和坩堝蓋，坩堝蓋上設(shè)有籽晶桿，坩堝壁頂部設(shè)有至少一個(gè)凹槽，坩堝蓋上設(shè)有至少一個(gè)與凹槽相適應(yīng)的凸起，凹槽和相應(yīng)凸起之間形成曲折通道；所述的坩堝具有真空夾層；所述的籽晶桿為U字型空心管。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不僅可以通過(guò)特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)避免了硅蒸汽的外逸，進(jìn)而保護(hù)了外面的保溫材料，降低了生產(chǎn)成本。而且又能夠?qū)囟忍荻纫约皽貓?chǎng)進(jìn)行有效控制，保證了而晶體的高質(zhì)量穩(wěn)定生長(zhǎng)。

技術(shù)研發(fā)人員：于國(guó)建;宗艷民;宋生;柏文文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司
文檔號(hào)碼：201621396720
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.19
技術(shù)公布日：2017.08.01